公开(公告)号：CN111509561A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010074646.X

申请日：2020-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加藤隆志

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明涉及一种量子级联激光器，其具有核心区，该核心区包括第一注入层、有源区和第二注入层。有源区包括第一阱层、第二阱层、第三阱层、第一势垒层和第二势垒层。第一势垒层被设置在第一阱层和第二阱层之间，并将第一阱层与第二阱层分离。第二势垒层被设置在第二阱层和第三阱层之间，并将第二阱层与第三阱层分离。第一势垒层具有1.2nm或更小的厚度，并且第二势垒层具有1.2nm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN119742658A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411052798.4

申请日：2024-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原直树 ,  加藤隆志 ,  高田贤志 ,  青木健志 ,  吉本晋 ,  伊藤友树

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种能够降低由p型半导体层引起的光学损失的半导体光元件。半导体光元件具备：第一n型III‑V族化合物半导体层；有源层；隧道结结构，包含p型III‑V族化合物半导体层以及第二n型III‑V族化合物半导体层；以及第三n型III‑V族化合物半导体层，第一n型III‑V族化合物半导体层、有源层、p型III‑V族化合物半导体层、第二n型III‑V族化合物半导体层以及第三n型III‑V族化合物半导体层按此顺序排列，第二n型III‑V族化合物半导体层具有比第三n型III‑V族化合物半导体层的n型掺杂剂浓度高的n型掺杂剂浓度，p型III‑V族化合物半导体层具有应变。

公开(公告)号：CN114079230A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110838791.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加藤隆志

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器，其具有：具有大的能量差ΔEc和良好的晶体品质的核心区域。量子级联激光器具有：包含III‑V族化合物半导体的基板和设置在基板上并且包含III‑V族化合物半导体的核心区域。核心区域包含层叠的多个单元结构。多个单元结构分别包含有源层和注入层。注入层包含：包含第一阱层和第一势垒层的至少一个应变补偿层以及包含第二阱层和第二势垒层的至少一个晶格匹配层。第一阱层具有比基板的晶格常数大的晶格常数。第一势垒层具有比基板的晶格常数小的晶格常数。第二阱层和第二势垒层分别具有与基板晶格匹配的晶格常数。