公开(公告)号：CN101369714A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210649.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1－X2N生长及迁移和AlX2Ga1－X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1－X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。

公开(公告)号：CN103098241A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043474.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  三桥史典

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/28 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种具有良好欧姆接触的III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件中，接合JC相对于与氮化镓基半导体层的c轴正交的基准面倾斜，电极与该氮化镓基半导体层的半极性面接合。但是，该氮化镓基半导体层中的氧浓度使得生长为用以形成接合JC的氮化镓基半导体层中的氧浓度被降低。因电极与该氮化镓基半导体层的半极性面形成接合，因此金属/半导体接合显示出良好的欧姆特性。

公开(公告)号：CN1624944B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN119742658A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411052798.4

申请日：2024-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原直树 ,  加藤隆志 ,  高田贤志 ,  青木健志 ,  吉本晋 ,  伊藤友树

IPC: H01S5/30

Abstract: 本发明提供一种能够降低由p型半导体层引起的光学损失的半导体光元件。半导体光元件具备：第一n型III‑V族化合物半导体层；有源层；隧道结结构，包含p型III‑V族化合物半导体层以及第二n型III‑V族化合物半导体层；以及第三n型III‑V族化合物半导体层，第一n型III‑V族化合物半导体层、有源层、p型III‑V族化合物半导体层、第二n型III‑V族化合物半导体层以及第三n型III‑V族化合物半导体层按此顺序排列，第二n型III‑V族化合物半导体层具有比第三n型III‑V族化合物半导体层的n型掺杂剂浓度高的n型掺杂剂浓度，p型III‑V族化合物半导体层具有应变。

公开(公告)号：CN100414724C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN1993807A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026731.2

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边敬一朗 ,  吉本晋

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种p型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置101等成膜装置内配置基板103，在基板103上依次成长GaN缓冲膜105、无掺杂GaN膜107、以及包含p型掺杂物的GaN膜109，形成外延基板E1。半导体膜109中，除p型掺杂物之外，还含有包含在原料气体中的氢。接着，在短脉冲激光照射装置111中配置外延基板E1。对外延基板E1的表面的一部分或全部照射激光LB1，利用多光子吸收过程激活p型掺杂物。通过照射产生多光子吸收的脉冲激光LB1，形成p型GaN膜109a。无需使用热退火而将半导体膜内的p型掺杂物光学性激活，形成p型半导体区域。

公开(公告)号：CN104488086A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201480001915.2

申请日：2014-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 熊野哲弥 ,  吉本晋

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124 ,  H01L23/488 ,  H01L24/28 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/28105

Abstract: 一种含有焊料的半导体器件(1)包括半导体器件(1D)。该半导体器件(1D)包括衬底(10)，布置在该衬底(10)上的至少一层III族氮化物半导体层(20)，布置在该III族氮化物半导体层(20)上的肖特基电极(40)和布置在该肖特基电极(40)上的焊垫电极(50)。该焊垫电极(50)具有包括至少Pt层的多层结构。该含有焊料的半导体器件(1)还包括具有200至230℃的熔点且布置在半导体器件(1D)的焊垫电极(50)上的焊料(60)。因此，能够安装包括肖特基栅极、布置在肖特基栅极上的焊垫电极和布置在焊垫电极上的焊料的含有焊料的半导体器件，以提供不使半导体器件的性能劣化的安装的含有焊料的半导体器件。

公开(公告)号：CN1782142B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200510125396.3

申请日：2005-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  吉本晋 ,  松叶聪

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。

公开(公告)号：CN101040409B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580034733.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  三崎贵史 ,  中西文毅 ,  森大树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n-型敷层(4)；衬底(3)上形成的p-型敷层(6)；插入n-型敷层(4)和p-型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。

公开(公告)号：CN1624944A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。