公开(公告)号：CN1993807B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580026731.2

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边敬一朗 ,  吉本晋

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种p型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置101等成膜装置内配置基板103，在基板103上依次成长GaN缓冲膜105、无掺杂GaN膜107、以及包含p型掺杂物的GaN膜109，形成外延基板E1。半导体膜109中，除p型掺杂物之外，还含有包含在原料气体中的氢。接着，在短脉冲激光照射装置111中配置外延基板E1。对外延基板E1的表面的一部分或全部照射激光LB1，利用多光子吸收过程激活p型掺杂物。通过照射产生多光子吸收的脉冲激光LB1，形成p型GaN膜109a。无需使用热退火而将半导体膜内的p型掺杂物光学性激活，形成p型半导体区域。

公开(公告)号：CN1993807A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026731.2

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边敬一朗 ,  吉本晋

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种p型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置101等成膜装置内配置基板103，在基板103上依次成长GaN缓冲膜105、无掺杂GaN膜107、以及包含p型掺杂物的GaN膜109，形成外延基板E1。半导体膜109中，除p型掺杂物之外，还含有包含在原料气体中的氢。接着，在短脉冲激光照射装置111中配置外延基板E1。对外延基板E1的表面的一部分或全部照射激光LB1，利用多光子吸收过程激活p型掺杂物。通过照射产生多光子吸收的脉冲激光LB1，形成p型GaN膜109a。无需使用热退火而将半导体膜内的p型掺杂物光学性激活，形成p型半导体区域。