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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906314A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025287.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002
Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。
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公开(公告)号：CN102906314B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180025287.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B11/002
Abstract: 披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法中从所述容器的底部向着所述容器的开口固化容纳于纵向容器中的原料熔液。所述热分解氮化硼容器包括直径恒定部分，其横截面面积基本恒定，和台阶部分，其被配置在离开所述开口的预定位置处，并且所述容器的内径或外径在所述台阶部分改变。当面积与所述直径恒定部分的内横截面面积相同的正圆的直径为D，并且从所述开口到所述台阶部分的上端的距离为x时，满足D≥54mm和x≥5mm。当从所述直径恒定部分的下端到所述开口的长度为L时，优选地，满足5mm≤x≤L/3或5mm≤x≤D。
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公开(公告)号：CN102272359B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080004316.8
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
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公开(公告)号：CN104109906A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410171993.9
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
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公开(公告)号：CN102272359A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004316.8
申请日：2010-01-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
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