公开(公告)号：CN104603915A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380044909.0

申请日：2013-09-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤本和德 ,  堀井拓 ,  木村真二 ,  木本美津男

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L23/53223 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。

公开(公告)号：CN104603915B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380044909.0

申请日：2013-09-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤本和德 ,  堀井拓 ,  木村真二 ,  木本美津男

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L23/53223 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在导电区(12)上方使其延伸通过绝缘膜(20,40)并且暴露衬底(10)的表面(10A)。缓冲膜(51)从接触孔(80)的底表面(80B)起在接触孔(80)的侧壁表面(80A)上向上延伸。电极(52)形成为与接触孔(80)的底表面(80B)上的导电区(12)接触并且形成在绝缘膜(20,40)上，且缓冲膜(51)插入在其间。