公开(公告)号：CN112684684B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202011115302.5

申请日：2020-10-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡口要 ,  牧角康平 ,  樋山史幸 ,  菊池裕一 ,  山内一浩 ,  荒木广隆 ,  宫泽诚一

IPC: G03G15/02 ,  G03G5/047 ,  G03G21/18

Abstract: 本发明涉及处理盒和电子照相设备。一种处理盒，其包括具有第一支承体和感光层的电子照相感光构件；和充电构件。在感光构件中，当测量使电压在变化的同时施加至表面时流动的电流时，在图中低电场区域的斜率a1和高电场区域的斜率a2满足a2/a1≥1.50。充电构件包括具有导电性外表面的第二支承体，和包括基体和分散在基体中的多个域的第二导电层，域的至少一部分露出至至少包括基体、和域的至少一部分的外表面，并且基体的体积电阻率ρM为域的体积电阻率ρD的1.00×105倍以上。

公开(公告)号：CN112684684A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011115302.5

申请日：2020-10-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡口要 ,  牧角康平 ,  樋山史幸 ,  菊池裕一 ,  山内一浩 ,  荒木广隆 ,  宫泽诚一

IPC: G03G15/02 ,  G03G5/047 ,  G03G21/18

Abstract: 本发明涉及处理盒和电子照相设备。一种处理盒，其包括具有第一支承体和感光层的电子照相感光构件；和充电构件。在感光构件中，当测量使电压在变化的同时施加至表面时流动的电流时，在图中低电场区域的斜率a1和高电场区域的斜率a2满足a2/a1≥1.50。充电构件包括具有导电性外表面的第二支承体，和包括基体和分散在基体中的多个域的第二导电层，域的至少一部分露出至至少包括基体、和域的至少一部分的外表面，并且基体的体积电阻率ρM为域的体积电阻率ρD的1.00×105倍以上。