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公开(公告)号：CN118338987A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280083258.5
申请日：2022-12-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/013 , B24B37/08 , B24B37/12 , B24B37/26 , B24B49/04 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。
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公开(公告)号：CN107615455B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680029245.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B49/12
Abstract: 一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。
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公开(公告)号：CN108369908A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004626.1
申请日：2017-02-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851569A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042042.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/67282 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出多个晶圆的切割步骤、将经切割出的多个晶圆的外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆的双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将多个晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的翘曲方向调整步骤；在翘曲方向调整步骤之后，在多个晶圆的翘曲方向经排列到一个方向上的状态下，实施倒角步骤以及双面研磨步骤。由此，即使在双面研磨步骤之前实施将晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的步骤的情况下，也能抑制双面研磨后的晶圆的平坦度的恶化。
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公开(公告)号：CN107615455A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029245.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B37/07 , B24B49/12
Abstract: 一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。
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公开(公告)号：CN116900925A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310358794.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B37/20 , B24B7/22 , B24B37/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够利用现有的修整方法以外的手段来进行研磨布的起毛整形，而获得能够维持边缘平坦度且高平坦度的晶圆。一种晶圆的双面研磨方法，将晶圆夹持于分别贴附有研磨布的上平台与下平台之间，并使所述研磨布滑动接触于该晶圆的双面而实施双面研磨加工，其中，准备具有算术平均粗糙度Ra为100nm以上且负荷面积率Smr1为10％以上的表面形貌的晶圆，对该准备的晶圆实施所述双面研磨加工，由此一边利用所述晶圆的表面形貌来修整所述研磨布，一边对所述准备的晶圆的双面进行研磨。
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公开(公告)号：CN108369908B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780004626.1
申请日：2017-02-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F‑ZDD
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公开(公告)号：CN107851569B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201680042042.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的制造方法，包含：自晶棒切割出多个晶圆的切割步骤、将经切割出的多个晶圆的外周部予以倒角的倒角步骤以及将以载体支承外周部的晶圆的双面予以研磨的双面研磨步骤，其中在切割步骤后，于倒角步骤前包含将多个晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的翘曲方向调整步骤；在翘曲方向调整步骤之后，在多个晶圆的翘曲方向经排列到一个方向上的状态下，实施倒角步骤以及双面研磨步骤。由此，即使在双面研磨步骤之前实施将晶圆的翘曲方向排列到一个方向上的步骤的情况下，也能抑制双面研磨后的晶圆的平坦度的恶化。
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