公开(公告)号：CN103998182A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062581.0

申请日：2012-11-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥

IPC: B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B28D5/045 ,  B24B27/0633 ,  B28D5/0064

Abstract: 本发明是一种工件的切割方法，该方法将固定有磨粒的钢线卷绕在多个带槽滚筒上，并使上述钢线在轴方向做往复行进，一边向上述钢线供给加工液，一边将工件压抵至上述做往复行进的钢线而进行切入进给，由此将上述工件切割成晶片状，上述工件的切割方法其特征在于，反复进行下述工序而切割上述工件，该工序为，在将上述工件在切入进给方向以5mm以上且30mm以下的进给量进行切入进给之后，使上述工件仅以上述进给量的1/4以上且小于进给量的后退量、且上述工件的切入进给方向的长度的1/15以下的后退量向与上述切入进给方向相反的方向倒退。由此，提供一种在利用使用了固定有磨粒的钢线的线锯所进行的切割中，能够改进工件的切割质量、尤其能够改进纳米形貌的切割方法。

公开(公告)号：CN108140593B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201680060750.5

申请日：2016-10-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥 ,  菊地博康

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。

公开(公告)号：CN1299335C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN02821402.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  罗代尔霓塔股份有限公司

Inventor： 桝村寿 ,  富井和弥 ,  伊藤荣直 ,  安在健一 ,  井上宪一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  Y10T428/249955

Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(%)}设定在3.8以上进行研磨。

公开(公告)号：CN115335975A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024107.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。由此，提供简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状的DIC缺陷的形状测量方法。

公开(公告)号：CN108140593A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060750.5

申请日：2016-10-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥 ,  菊地博康

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。

公开(公告)号：CN1579014A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02821402.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  罗代尔霓塔股份有限公司

Inventor： 桝村寿 ,  富井和弥 ,  伊藤荣直 ,  安在健一 ,  井上宪一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  Y10T428/249955

Abstract: 本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(％)}设定在3.8以上进行研磨。