公开(公告)号：CN108140593A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060750.5

申请日：2016-10-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥 ,  菊地博康

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。

公开(公告)号：CN108140593B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201680060750.5

申请日：2016-10-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥 ,  菊地博康

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。