公开(公告)号：CN101836285B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN200880113050.3

申请日：2008-08-21

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： 杨培东 ,  A·马宗达 ,  A·I·霍赫鲍姆 ,  陈仁坤 ,  R·D·德尔加多

IPC: H01L21/441 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

Abstract: 本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。

公开(公告)号：CN101836285A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880113050.3

申请日：2008-08-21

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： 杨培东 ,  A·马宗达 ,  A·I·霍赫鲍姆 ,  陈仁坤 ,  R·D·德尔加多

IPC: H01L21/441 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

Abstract: 本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。