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公开(公告)号：CN104392933A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410524397.4
申请日：2008-08-21
Applicant: 加州大学评议会
IPC: H01L21/441 , H01L35/02
Abstract: 本发明提供一种用于热电转换的装置，所述装置包含：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个纳米结构，所述一个或多个纳米结构中每个包括一个或多个半导体材料；其中：所述一个或多个纳米结构中所述每个与所述第一电极和所述第二电极接触；所述一个或多个纳米结构中所述每个包括与平均表面粗糙度相关联的表面，所述粗糙度在从1nm到5nm的范围。
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公开(公告)号：CN101836285A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113050.3
申请日：2008-08-21
Applicant: 加州大学评议会
IPC: H01L21/441 , H01L35/02
Abstract: 本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。
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公开(公告)号：CN104392933B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410524397.4
申请日：2008-08-21
Applicant: 加州大学评议会
IPC: H01L21/441 , H01L35/02
Abstract: 本发明提供一种用于热电转换的装置，所述装置包含：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个纳米结构，所述一个或多个纳米结构中每个包括一个或多个半导体材料；其中：所述一个或多个纳米结构中所述每个与所述第一电极和所述第二电极接触；所述一个或多个纳米结构中所述每个包括与平均表面粗糙度相关联的表面，所述粗糙度在从1nm到5nm的范围。
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公开(公告)号：CN101836285B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200880113050.3
申请日：2008-08-21
Applicant: 加州大学评议会
IPC: H01L21/441 , H01L35/02
Abstract: 本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。
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