公开(公告)号：CN104392933A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410524397.4

申请日：2008-08-21

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： 杨培东 ,  A.马宗达 ,  A.I.霍赫鲍姆 ,  陈仁坤 ,  R.D.德尔加多

IPC: H01L21/441 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

Abstract: 本发明提供一种用于热电转换的装置，所述装置包含：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个纳米结构，所述一个或多个纳米结构中每个包括一个或多个半导体材料；其中：所述一个或多个纳米结构中所述每个与所述第一电极和所述第二电极接触；所述一个或多个纳米结构中所述每个包括与平均表面粗糙度相关联的表面，所述粗糙度在从1nm到5nm的范围。

公开(公告)号：CN104392933B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201410524397.4

申请日：2008-08-21

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： 杨培东 ,  A.马宗达 ,  A.I.霍赫鲍姆 ,  陈仁坤 ,  R.D.德尔加多

IPC: H01L21/441 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

Abstract: 本发明提供一种用于热电转换的装置，所述装置包含：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个纳米结构，所述一个或多个纳米结构中每个包括一个或多个半导体材料；其中：所述一个或多个纳米结构中所述每个与所述第一电极和所述第二电极接触；所述一个或多个纳米结构中所述每个包括与平均表面粗糙度相关联的表面，所述粗糙度在从1nm到5nm的范围。