高纵横比C-MEMS结构
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421866A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200580012366.X

    申请日:2005-02-11

    CPC classification number: H01M4/583 H01M4/663

    Abstract: 提供具有高纵横比碳结构的CMEMS结构和用于生产该高纵横比CMEMS结构的改进方法。高纵横比碳结构通过热分解构图的碳前驱体聚合物而被微加工。在惰性气体和合成气体气氛的多步工艺中,在高温下,该高温低于聚合物的玻璃转变温度(Tg)。多层CMEMS碳结构由多层负性光致抗蚀剂形成,其中第一层形成碳互连,第二层和连续层形成高纵横比碳结构。连接CMEMS碳结构的高导电率互连轨迹是通过在衬底上沉积金属层、在该金属层顶部上构图聚合物前驱体以及热分解该聚合物以产生最终结构来形成的。具有高纵横比电极的装置的互连使用自对准绝缘方法来绝缘。

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