具有硅电极的顺应性双极微型器件转移头

    公开(公告)号:CN104471698A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201380035955.4

    申请日:2013-06-27

    CPC classification number: B81C99/002

    Abstract: 本发明描述了一种顺应性双极微型器件转移头阵列以及由SOI衬底形成顺应性双极微型器件转移阵列的方法。在一个实施例中,顺应性双极微型器件转移头阵列包括基础衬底和在基础衬底上方的图案化硅层。图案化硅层可包括第一硅互连件和第二硅互连件以及与第一硅互连件和第二硅互连件电连接且能够偏转到位于基础衬底和硅电极之间的一个或多个空腔内的第一硅电极阵列和第二硅电极阵列。

Patent Agency Ranking