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公开(公告)号：CN113484352A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110698989.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种基于第二类外尔半金属材料的太赫兹探测器，采用第二类外尔半金属作为太赫兹的探测材料，不需要外加偏压，在室温下即可具有较高的响应度与较快的响应速度。本发明的太赫兹探测器有着广阔的应用前景，可应用于太赫兹成像、太赫兹安检、生物医学、太赫兹雷达等各个领域。特别的，本发明的太赫兹探测器不需要提供偏置电压即可产生较高的光电流响应，并且暗电流非常低；也不需要提供低温环境(例如液氦降温)，在室温下即可使用，这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN109870234B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711256309.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于第二类外尔半金属二碲化钼的光探测器及其探测方法。本发明采用二碲化钼纳米片作为光的探测材料，二碲化钼纳米片为零带隙材料，探测光谱范围广，并且不需要也不能外加偏压，在室温下具有灵敏的响应度；本探测器对偏振光方向敏感，可以用于偏振探测；本发明的探测器可用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，在军用设备方面有着广阔的应用前景；另外需要特别指出的是，基于本材料的光探测器不需要提供偏置电压即可产生相当高的光电流响应，并且暗电流非常低，并且本发明的光探测器也不能够外加偏置电压，否则会产生本底电流，而且基于本材料的光探测器也不需要提供低温环境，这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN109870234A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711256309.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于第二类外尔半金属二碲化钼的光探测器及其探测方法。本发明采用二碲化钼纳米片作为光的探测材料，二碲化钼纳米片为零带隙材料，探测光谱范围广，并且不需要也不能外加偏压，在室温下具有灵敏的响应度；本探测器对偏振光方向敏感，可以用于偏振探测；本发明的探测器可用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，在军用设备方面有着广阔的应用前景；另外需要特别指出的是，基于本材料的光探测器不需要提供偏置电压即可产生相当高的光电流响应，并且暗电流非常低，并且本发明的光探测器也不能够外加偏置电压，否则会产生本底电流，而且基于本材料的光探测器也不需要提供低温环境，这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN109962118A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711402616.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于第二类外尔半金属钽铱碲的光探测器及其探测方法。本发明采用钽铱碲纳米片作为光的探测材料，钽铱碲纳米片为零带隙材料，探测光谱范围广，并且不需要也不能外加偏压，在室温下具有灵敏的响应度；本探测器对偏振光方向敏感，可以用于偏振探测；本发明的探测器可用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，在军用设备方面有着广阔的应用前景；另外需要特别指出的是，基于本材料的光探测器不需要提供偏置电压即可产生相当高的光电流响应，并且暗电流非常低，并且本发明的光探测器也不能够外加偏置电压，否则会产生本底电流，而且基于本材料的光探测器也不需要提供低温环境，这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN119803671A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510054710.0
申请日：2025-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种左右圆偏振态快速响应的光轨道角动量高速探测器及方法。本发明基于高速偏振调制技术和轨道角动量探测器，实现高速探测光轨道角动量的信息；相比基于传统探测方法的分钟量级的探测速度，本发明将光轨道角动量的探测速度提升至毫秒量级，同时光轨道角动量的量子数能够通过锁相放大器提取的径向光电流的圆偏依赖成分直接分辨，无需通过计算机进行额外计算和数据处理；由于光弹调制器具有较大的工作波长范围，本发明也能够适用于较大波长范围下的光轨道角动量探测；本发明应用于各种光轨道角动量探测的应用场合，如红外成像、军事侦查和焦平面成像等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718603B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810762319.6
申请日：2018-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于外尔半金属贝里曲率增强的高灵敏中红外光探测器，包括基底，基底表面具有绝缘层，绝缘层上设置厚度小于100nm的外尔半金属纳米片，在外尔半金属纳米片的两端分别设有第一金属电极和第二金属电极，所述外尔半金属纳米片与金属电极形成欧姆接触。该探测器利用外尔半金属能带结构中外尔点附近的发散的贝利曲率，通过材料体系的制备特征实现位移电流在特定波段的增强，获得巨大光电流响应，可广泛应用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，有利于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN110718603A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810762319.6
申请日：2018-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于外尔半金属贝里曲率增强的高灵敏中红外光探测器，包括基底，基底表面具有绝缘层，绝缘层上设置厚度小于100nm的外尔半金属纳米片，在外尔半金属纳米片的两端分别设有第一金属电极和第二金属电极，所述外尔半金属纳米片与金属电极形成欧姆接触。该探测器利用外尔半金属能带结构中外尔点附近的发散的贝利曲率，通过材料体系的制备特征实现位移电流在特定波段的增强，获得巨大光电流响应，可广泛应用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，有利于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN119521931A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411599576.4
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种光轨道角动量的直接光电探测器及其探测方法。本发明基于同心的部分圆环形的第一和第二探测电极，采用多层石墨烯作为探测材料，设计了光轨道角动量的直接光电探测器和焦平面探测阵列；多层石墨烯作为一种零带隙材料，探测光谱范围广；同时，探测不需要也不能外加偏压，在室温下即具有灵敏的响应度；相比钽铱碲，多层石墨烯具有更高的光电流响应度和信噪比，这带来了更好的光轨道角动量分辨能力；基于多层石墨烯光轨道角动量的直接光电探测器的焦平面探测阵列能够实现目标的跟踪和识别，在军用设备方面具有广阔的应用场景；本发明能够用于红外成像、军事侦查和夜视镜等领域，也能够实现焦平面成像。
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公开(公告)号：CN109962118B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201711402616.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于第二类外尔半金属钽铱碲的光探测器及其探测方法。本发明采用钽铱碲纳米片作为光的探测材料，钽铱碲纳米片为零带隙材料，探测光谱范围广，并且不需要也不能外加偏压，在室温下具有灵敏的响应度；本探测器对偏振光方向敏感，可以用于偏振探测；本发明的探测器可用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，在军用设备方面有着广阔的应用前景；另外需要特别指出的是，基于本材料的光探测器不需要提供偏置电压即可产生相当高的光电流响应，并且暗电流非常低，并且本发明的光探测器也不能够外加偏置电压，否则会产生本底电流，而且基于本材料的光探测器也不需要提供低温环境，这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。
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公开(公告)号：CN114414214B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210025160.6
申请日：2022-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种直接探测光轨道角动量的光探测器及其探测方法。本发明基于特殊的电极结构，进行光轨道角动量的直接探测；本发明采用钽铱碲纳米片作为光的探测材料，钽铱碲纳米片为零带隙材料，探测光谱范围广，尤其是在中红外波段具有拓扑增强效应，使得响应更加灵敏，并且不需要也不能外加偏压，在室温下具有灵敏的响应度，室温和低温均工作；同时能够用于光强度探测；本发明用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域，在军用设备方面有着广阔的应用前景；另外，本发明能够实现直接进行轨道角动量测量，并且这样的元器件能够拓展，跟CMOS兼容，未来能够制备集成化面阵以解决诸多问题，用于焦平面成像。
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