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公开(公告)号：CN106018379B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610327475.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开一种大面积表面增强拉曼散射基底及其制备方法，属于纳米材料领域。该制备方法首先制备具有三维微米级结构的模板；在三维结构模板上蒸镀一层银，形成银纳米颗粒；在蒸镀结束后，在银纳米颗粒上继续蒸镀一层氧化物薄膜作为间隔层；在蒸镀结束后，继续蒸镀一层银，得大面积表面增强拉曼散射基底。本发明的方法制备过程简单快速，利用微米级三维结构的侧壁部分作为倾角蒸镀的基底，通过电子束蒸镀的方法制备金属纳米颗粒，而不必通过一定模板或复杂的工艺。本发明的基底对激发光的利用率高：同层银颗粒之间、不同层银颗粒之间均可形成SERS增强的“热点”，大大提高了基底的SERS增强效果。
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公开(公告)号：CN113189047A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110349101.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01N21/41 , C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/58 , C23C28/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属膜上介质周期结构折射率传感器，传感元件为纳米光子结构，上至下分别为介质柱阵列，氧化铝保护层贵金属反射层，基底；由圆柱体介质柱构成的介质柱阵列呈中心对称的形状，且紧贴氧化铝表面；通过共振峰位置偏移测量折射率。本发明所制备的折射率传感器，制作工艺简单，有效区域面积大，灵敏度高，分辨率高，且性质稳定，不会因为处于一定的高温或者潮湿的环境下而失去性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113203476B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110371729.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01J3/10 , G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种基于高反射率金属上低折射率介质柱阵列的窄线宽中红外热辐射源。由下至上依次是金属反射层、氧化铝层、二维周期性排列的介质柱阵列。该结构可以支持高品质因子的晶格共振，共振模式的电磁场被限制在介质柱阵列顶部。对于约4μm的中红外波长，介质柱阵列可以采用二氧化硅，通过等离子增强化学气相沉积方法以及反应离子刻蚀方法来制备，金属可以采用铜。根据基尔霍夫辐射定律，对该结构的金属反射层施加电流加热，来实现表面辐射的窄带中红外热辐射源。
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公开(公告)号：CN104195518B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410432517.8
申请日：2014-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种黑色吸光薄膜及其制备方法。具体包括以下步骤：(1)采用金属或聚合物复制含锥形孔阵列的模板并剥离，得到锥尖阵列金属基底或锥尖阵列聚合物基底；(2)采用磁控溅射的方法，在锥尖阵列金属基底或锥尖阵列聚合物基底上依次溅射铁薄膜和保护层，得到黑色吸光薄膜。所制备的黑色吸光薄膜具有较高的吸收率，在300～1000nm波段的吸收在98％以上，1000～2000nm波段的吸收在96％以上；而以柔性聚合物为基底的黑色吸光薄膜，可作为减反射贴膜，用以降低不适宜发黑处理器件的反射率。另外，本发明所制备的模板可重复使用，工艺简单。
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公开(公告)号：CN104195518A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410432517.8
申请日：2014-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种黑色吸光薄膜及其制备方法。具体包括以下步骤：(1)采用金属或聚合物复制含锥尖阵列的模板并剥离，得到锥尖阵列金属基底或锥尖阵列聚合物基底；(2)采用磁控溅射的方法，在锥尖阵列金属基底或锥尖阵列聚合物基底上依次溅射铁薄膜和保护层，得到黑色吸光薄膜。所制备的黑色吸光薄膜具有较高的吸收率，在300～1000nm波段的吸收在98％以上，1000～2000nm波段的吸收在96％以上；而以柔性聚合物为基底的黑色吸光薄膜，可作为减反射贴膜，用以降低不适宜发黑处理器件的反射率。另外，本发明所制备的模板可重复使用，工艺简单。
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公开(公告)号：CN113203476A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110371729.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01J3/10 , G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种基于高反射率金属上低折射率介质柱阵列的窄线宽中红外热辐射源。由下至上依次是金属反射层、氧化铝层、二维周期性排列的介质柱阵列。该结构可以支持高品质因子的晶格共振，共振模式的电磁场被限制在介质柱阵列顶部。对于约4μm的中红外波长，介质柱阵列可以采用二氧化硅，通过等离子增强化学气相沉积方法以及反应离子刻蚀方法来制备，金属可以采用铜。根据基尔霍夫辐射定律，对该结构的金属反射层施加电流加热，来实现表面辐射的窄带中红外热辐射源。
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公开(公告)号：CN106018379A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610327475.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明公开一种大面积表面增强拉曼散射基底及其制备方法，属于纳米材料领域。该制备方法首先制备具有三维微米级结构的模板；在三维结构模板上蒸镀一层银，形成银纳米颗粒；在蒸镀结束后，在银纳米颗粒上继续蒸镀一层氧化物薄膜作为间隔层；在蒸镀结束后，继续蒸镀一层银，得大面积表面增强拉曼散射基底。本发明的方法制备过程简单快速，利用微米级三维结构的侧壁部分作为倾角蒸镀的基底，通过电子束蒸镀的方法制备金属纳米颗粒，而不必通过一定模板或复杂的工艺。本发明的基底对激发光的利用率高：同层银颗粒之间、不同层银颗粒之间均可形成SERS增强的“热点”，大大提高了基底的SERS增强效果。
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