公开(公告)号：CN113203476A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110371729.X

申请日：2021-04-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 吴琼 ,  王凌飞 ,  敖献煜

IPC: G01J3/10 ,  G01N21/3504

Abstract: 本发明公开了一种基于高反射率金属上低折射率介质柱阵列的窄线宽中红外热辐射源。由下至上依次是金属反射层、氧化铝层、二维周期性排列的介质柱阵列。该结构可以支持高品质因子的晶格共振，共振模式的电磁场被限制在介质柱阵列顶部。对于约4μm的中红外波长，介质柱阵列可以采用二氧化硅，通过等离子增强化学气相沉积方法以及反应离子刻蚀方法来制备，金属可以采用铜。根据基尔霍夫辐射定律，对该结构的金属反射层施加电流加热，来实现表面辐射的窄带中红外热辐射源。

公开(公告)号：CN113203476B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202110371729.X

申请日：2021-04-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 吴琼 ,  王凌飞 ,  敖献煜

IPC: G01J3/10 ,  G01N21/3504

Abstract: 本发明公开了一种基于高反射率金属上低折射率介质柱阵列的窄线宽中红外热辐射源。由下至上依次是金属反射层、氧化铝层、二维周期性排列的介质柱阵列。该结构可以支持高品质因子的晶格共振，共振模式的电磁场被限制在介质柱阵列顶部。对于约4μm的中红外波长，介质柱阵列可以采用二氧化硅，通过等离子增强化学气相沉积方法以及反应离子刻蚀方法来制备，金属可以采用铜。根据基尔霍夫辐射定律，对该结构的金属反射层施加电流加热，来实现表面辐射的窄带中红外热辐射源。