公开(公告)号：CN102928079A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210391637.9

申请日：2012-10-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨涛 ,  李兴鳌 ,  何浩培 ,  黄维 ,  周源 ,  李伟

IPC: G01J3/28 ,  G01J3/18 ,  G01J3/02

Abstract: 本发明公开了一种基于衍射孔阵列的微型光谱仪，沿入射光方向依次包括：入射光准直装置；一层基底，采用透明材料制作；一个构建在所述基底其中一个表面上的挡光层中的衍射孔二维阵列，所述挡光层由不透明材料制作，所述衍射孔二维阵列包括一系列具有不同孔径尺寸的衍射孔，且各衍射孔孔径尺寸与入射光波长接近，各衍射孔的深度与挡光层厚度相同；包括多个探测像素元的探测阵列芯片，所述探测阵列芯片的探测信号输出端与一计算分析部件连接；所述衍射孔二维阵列中各个衍射孔与所述探测阵列芯片中的探测像素元的位置非一一对应。本发明在保证与现有衍射孔阵列结构微型光谱仪性能相当的前提下，更易于加工，制作成本更低。

公开(公告)号：CN104166249B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410349829.2

申请日：2014-07-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄维 ,  周源 ,  杨涛 ,  沈骁 ,  李兴鳌 ,  周馨慧 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。

公开(公告)号：CN104166249A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410349829.2

申请日：2014-07-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄维 ,  周源 ,  杨涛 ,  沈骁 ,  李兴鳌 ,  周馨慧 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。