公开(公告)号：CN119714527A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510173607.8

申请日：2025-02-18

Applicant: 南昌大学

Inventor： 苏灿 ,  王怡博 ,  唐荣欣 ,  鄢伟超 ,  熊俊奕 ,  蔡孟强 ,  代国红

IPC: G01J1/44 ,  H04N25/17 ,  H04N25/773

Abstract: 本发明公开了一种基于平均脉冲数估计强度的单光子单像素成像方法，包括：记录每一个单光子事件；将记录的每一个单光子事件的脉冲数进行平均处理得到不同光子数的平均脉冲数；利用不同光子数的平均脉冲数来进行强度估计得到平均脉冲数估计强度，并对目标物体进行信息恢复得到目标物体的图像；基于目标物体的图像，通过计算不同图像质量指标来评估目标物体的成像质量。通过计数每一个光子到达之前的脉冲数进行平均处理来恢复图像。在实验中仅使用一个单光子雪崩二极管作为单光子探测器来获取光子信息，并且证明在低光照条件下本发明方法的高效性，相较传统的时间相关单光子计数成像方法，本发明方法能够利用更少的光子数来实现目标物体的信息恢复。