公开(公告)号：CN103746018B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410028013.X

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 仲蓓鑫 ,  曾凤 ,  程实 ,  王强 ,  邓洁

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括多晶硅基底片本体，所述硅基片本体表面为瓦片状型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用常压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为瓦片状型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。

公开(公告)号：CN103730525A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410028012.5

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  花国然 ,  仲蓓鑫 ,  程实 ,  曾凤 ,  钱爱平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种同心圆型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括硅基底片本体，所述硅基片本体表面为同心圆型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用磁控溅射法预淀积同心圆型二氧化硅薄膜和等离子增强化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为同心圆型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。

公开(公告)号：CN103762259A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410028014.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  曾凤 ,  仲蓓鑫 ,  程实 ,  邓洁 ,  钱爱平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种凸透镜型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括单晶硅基底片本体，所述硅基片本体表面为凸透镜型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用低压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为凸透镜型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。

公开(公告)号：CN106023209A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610345261.6

申请日：2016-05-23

Applicant: 南通大学

Inventor： 曾凤 ,  王伟 ,  汤敏 ,  陈俊杰 ,  李洪均 ,  曹张华

IPC: G06T7/00

CPC classification number: G06T7/0002 ,  G06T2207/20081 ,  G06T2207/20221

Abstract: 本发明涉及一种基于背景噪声的拼接图像盲检测方法，首先对拼接图像进行二次加噪，其次估计二次加噪前后对应子块的相关系数，然后依据所选阈值的大小对相关系数进行分类，最后根据不同分类定位出拼接区域。与现有算法相比，提出的算法不需要预先知道噪声数据库和原始图像的信息，具有较强的实用性。而且算法具有原理简单，计算量小的优点。实验结果表明，本文算法能有效鉴别具有不同背景噪声的拼接图像，同时，算法对一些典型的后处理操作具有较好的鲁棒性。

公开(公告)号：CN103762259B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410028014.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  曾凤 ,  仲蓓鑫 ,  程实 ,  邓洁 ,  钱爱平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种凸透镜型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括单晶硅基底片本体，所述硅基片本体表面为凸透镜型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用低压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为凸透镜型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。

公开(公告)号：CN103730525B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410028012.5

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  花国然 ,  仲蓓鑫 ,  程实 ,  曾凤 ,  钱爱平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种同心圆型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括硅基底片本体，所述硅基片本体表面为同心圆型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用磁控溅射法预淀积同心圆型二氧化硅薄膜和等离子增强化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为同心圆型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。

公开(公告)号：CN103746018A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410028013.X

申请日：2014-01-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 仲蓓鑫 ,  曾凤 ,  程实 ,  王强 ,  邓洁

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片及其制造工艺，太阳能电池硅基片包括多晶硅基底片本体，所述硅基片本体表面为瓦片状型波纹式非平面结构，呈条状顺序排列。它的制造工艺为：利用常压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为瓦片状型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积，且当光从不同角度入射都有直射面，达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。