公开(公告)号：CN101438196B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200780016315.3

申请日：2007-05-04

Applicant: 卡尔·蔡司SMT股份公司

Inventor： 戴维·谢弗 ,  奥里莉恩·多多克 ,  海科·费尔德曼 ,  约翰尼斯·泽尔纳 ,  威廉·乌尔里克 ,  霍尔格·沃尔特 ,  乌尔里克·洛林 ,  丹尼尔·克雷默 ,  格哈特·富尔特

IPC: G02B13/14 ,  G02B13/26 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B13/143 ,  G02B13/26 ,  G03F7/70241

Abstract: 本发明特征在于一种用于微光刻的系统，该系统包括配置成发射多个汞发射谱线处的辐射的汞光源、设置成接收由汞光源发射的辐射的投影物镜以及配置成相对于投影物镜放置晶片的台。在操作期间，投影物镜将来自光源的辐射引导到晶片，其中在晶片处的辐射包括来自发射谱线中多于一条谱线的能量。用于所述投影物镜的光学透镜系统包括四个透镜组，每个透镜组具有两个包括二氧化硅的透镜，一方的第一和第二透镜组与另一方的第三和第四透镜组相对于与所述透镜系统的光轴垂直的平面对称放置。

公开(公告)号：CN101836165A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880113387.4

申请日：2008-10-11

Applicant: 卡尔蔡司SMT股份公司

Inventor： 汉斯-于尔根·曼 ,  威廉·乌尔里克 ,  斯蒂芬·马伦德 ,  哈特穆特·恩基希

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  G02B13/143 ,  G02B17/06 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70233

Abstract: 成像光学系统(7)具有多个镜(M1至M6)。这些镜将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)。在成像光学系统(7)中，镜(M1至M6)的反射表面上的成像光(15)的最大入射角和成像系统(7)的像方数值孔径的比小于33.8°。这产生为镜的反射涂层提供好的条件的成像光学系统，利用该成像光学系统，当成像光通过该成像光学系统时，尤其甚至在小于10nm的EUV范围内的波长，对于成像光仍能够获得低的反射损失。

公开(公告)号：CN101438196A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016315.3

申请日：2007-05-04

Applicant: 卡尔·蔡司SMT股份公司

Inventor： 戴维·谢弗 ,  奥里莉恩·多多克 ,  海科·费尔德曼 ,  约翰尼斯·泽尔纳 ,  威廉·乌尔里克 ,  霍尔格·沃尔特 ,  乌尔里克·洛林 ,  丹尼尔·克雷默 ,  格哈特·富尔特

IPC: G02B13/14 ,  G02B13/26 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B13/143 ,  G02B13/26 ,  G03F7/70241

Abstract: 本发明特征在于一种用于微光刻的系统，该系统包括配置成发射多个汞发射谱线处的辐射的汞光源、设置成接收由汞光源发射的辐射的投影物镜以及配置成相对于投影物镜放置晶片的台。在操作期间，投影物镜将来自光源的辐射引导到晶片，其中在晶片处的辐射包括来自发射谱线中多于一条谱线的能量。用于所述投影物镜的光学透镜系统包括四个透镜组，每个透镜组具有两个包括二氧化硅的透镜，一方的第一和第二透镜组与另一方的第三和第四透镜组相对于与所述透镜系统的光轴垂直的平面对称放置。