公开(公告)号：CN114730685B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202080081375.9

申请日：2020-10-27

Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

Inventor： D.蔡德勒 ,  G.F.德尔曼 ,  S.舒伯特

IPC: H01J37/26

Abstract: 本发明包含一方法、一微粒多束显微镜和一半导体结构，以通过微粒多束显微镜的多个微粒束对半导体样品进行充电，并进行高分辨率的电压对比成像，无需切换微粒多束显微镜或移动半导体样品。在这种情况下，由各自具有低的微粒电流的所选微粒束的总和所形成的相加总电流在半导体结构中产生电荷并因此产生电压差。

公开(公告)号：CN114730685A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080081375.9

申请日：2020-10-27

Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

Inventor： D.蔡德勒 ,  G.F.德尔曼 ,  S.舒伯特

IPC: H01J37/26

Abstract: 本发明包含一方法、一微粒多束显微镜和一半导体结构，以通过微粒多束显微镜的多个微粒束对半导体样品进行充电，并进行高分辨率的电压对比成像，无需切换微粒多束显微镜或移动半导体样品。在这种情况下，由各自具有低的微粒电流的所选微粒束的总和所形成的相加总电流在半导体结构中产生电荷并因此产生电压差。