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公开(公告)号：CN113169017B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201980064424.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 披露了一种用于操作多束式粒子束系统的方法，该方法包括：生成多个粒子束，使得它们各自穿过完好的或有缺陷的多极元件；将这些粒子束聚焦在预定平面中；确定用于这些多极元件的偏转元件的激励；使用所确定的激励来激励完好的这些多极元件的偏转元件；以及对于有缺陷的多极元件的偏转元件修改所确定的激励，并且使用经修改的激励来激励这些有缺陷的多极元件的偏转元件；其中，该修改包括向所确定的激励添加校正激励，其中，这些校正激励对于该有缺陷的多极元件的所有偏转元件是相同的。
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公开(公告)号：CN115699245A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039305.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 提供了一种多束带电粒子检查系统和一种操作多束带电粒子检查系统的方法，用于具有高通过量和高分辨率以及高可靠性的晶片检查。该方法和多束带电粒子束检查系统配置成从多个传感器数据中提取一组控制信号来控制多束带电粒子束检查系统，从而维持成像规范，包括在晶片检查任务期间晶片台的移动。特别地，该系统操作为使得时间间隔Tr与图像采集的时间间隔Ts1和/或Ts2重叠。
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公开(公告)号：CN113169013A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980063653.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 一种用于操作多射束粒子束显微镜的方法，包括使多个粒子束在物体上扫描；将从这些粒子束在该物体处的撞击位置发出的电子束引导到电子转换器上；在第一时间段期间，通过第一检测系统的多个检测元件来检测由该电子转换器中的撞击电子所产生的第一信号；在第二时间段期间，通过第二检测系统的多个检测元件来检测由该电子转换器中的撞击电子所产生的第二信号；并且尤其是基于在该第二时间段期间通过该第二检测系统的检测元件检测到的检测信号，将在该第一时间段期间通过该第一检测系统的检测元件检测到的信号分配给这些撞击位置。
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公开(公告)号：CN114730685B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202080081375.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/26
Abstract: 本发明包含一方法、一微粒多束显微镜和一半导体结构，以通过微粒多束显微镜的多个微粒束对半导体样品进行充电，并进行高分辨率的电压对比成像，无需切换微粒多束显微镜或移动半导体样品。在这种情况下，由各自具有低的微粒电流的所选微粒束的总和所形成的相加总电流在半导体结构中产生电荷并因此产生电压差。
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公开(公告)号：CN113169013B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201980063653.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 一种用于操作多射束粒子束显微镜的方法和多射束粒子束系统，该方法包括使多个粒子束在物体上扫描；将从这些粒子束在该物体处的撞击位置发出的电子束引导到电子转换器上；在第一时间段期间，通过第一检测系统的多个检测元件来检测由该电子转换器中的撞击电子所产生的第一信号；在第二时间段期间，通过第二检测系统的多个检测元件来检测由该电子转换器中的撞击电子所产生的第二信号；并且尤其是基于在该第二时间段期间通过该第二检测系统的检测元件检测到的检测信号，将在该第一时间段期间通过该第一检测系统的检测元件检测到的信号分配给这些撞击位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112703573B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201980041458.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/06 , H01J37/147 , H01J37/28
Abstract: 一种粒子束系统，包括：多束式粒子源，该多束式粒子源被配置为产生多个粒子束；成像光学单元，该成像光学单元被配置为将物平面以粒子光学方式成像到像平面中并将该多个粒子束引导到该像平面上；以及场发生布置，该场发生布置被配置为在该物平面附近的区域中产生电和/或磁偏转场，其中，这些粒子束在操作期间被这些偏转场偏转，偏转角度取决于这些偏转场的强度。
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公开(公告)号：CN112970088B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201980064185.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 公开了设定单独束电流的粒子束系统，所述粒子束系统包括以下：至少一个粒子源，其被配置为产生带电粒子的束；第一多透镜阵列，其包括实行聚焦的第一多个单独可调节粒子透镜并且被设置在粒子束路径中使得粒子中的至少一些以多个单独粒子束的形式穿过多透镜阵列中的开口；第二多孔板，其包括多个第二开口，并且被设置在第一多透镜阵列的下游的粒子束路径中且设置为使得通过第一多透镜阵列的粒子部分地照射第二多孔板且部分地穿过第二多孔板中的开口；以及控制器，其被配置为向第一多透镜阵列的粒子透镜供应单独可调节的电压，并且因此针对每个单独粒子束单独地设定相关联的粒子透镜的聚焦。
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公开(公告)号：CN114762075A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082331.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 本发明关于粒子束系统，特别是多束粒子显微镜，其包含多束偏转装置且包含束终止器，且本发明关于用以操作粒子束系统的相关方法及相关的计算机程序产品。在此情况下，多束偏转装置配置在粒子束系统的多束产生器下游和束开关上游的粒子光学束路径中。多束偏转装置用于多个带电的个别粒子束的集体遮蔽。这些撞击在束终止器上，该束终止器配置在粒子光学束路径中、与粒子束直径减小或为最小值的位置齐平。举例来说，这些位置为个别粒子束的交叉平面或中间像平面。
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公开(公告)号：CN113939892A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080042737.3
申请日：2020-05-20
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 本发明说明揭露具有多束粒子源的粒子束系统，其配置成产生多个带电单独粒子束，并且具有用于在方位角方向上偏转单独粒子束的磁多偏转器阵列。磁多偏转器阵列在此包括具有多个开口的磁导多孔径板，其排列在粒子束的光束路径中，使得单独粒子束实质地穿过多孔径板的开口。该磁多偏转器阵列额外包括具有单独开口的磁导孔径板，其排列在粒子束的光路中，使得单独粒子束实质地穿过第一孔径板。此外，多孔径板和第一孔径板彼此连接，使得两个板之间形成一空腔。用于产生磁场的第一线圈排列在第一孔径板和多孔径板之间的空腔中，使得多个单独粒子束实质地穿过线圈。
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公开(公告)号：CN112703573A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980041458.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/06 , H01J37/147 , H01J37/28
Abstract: 一种粒子束系统1，包括：多束式粒子源，该多束式粒子源被配置为产生多个粒子束5；成像光学单元35，该成像光学单元被配置为将物平面29以粒子光学方式成像到像平面7中并将该多个粒子束引导到该像平面上；以及场发生布置41，该场发生布置被配置为在该物平面29附近的区域中产生电和/或磁偏转场，其中，这些粒子束在操作期间被这些偏转场偏转，偏转角度取决于这些偏转场的强度。
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