公开(公告)号：CN109212896B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201810729197.0

申请日：2018-07-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H.塞茨 ,  U.布特格雷特 ,  T.塞勒 ,  T.弗兰克 ,  U.马特吉卡 ,  M.德冈瑟 ,  R.比尔克纳 ,  D.格劳

IPC: G03F1/84

Abstract: 本发明关于特征化微光刻的掩模的方法及装置。在根据本发明的方法中，预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明，其中掩模(621)由成像光学单元(630)成像在检测器单元(640)上，其中由检测器单元(640)所记录的图像数据在评估单元(650)中被评估。在此情况下，为模拟针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定，在多个单独成像中进行掩模(621)到检测器单元(640)上的成像，其中多个单独成像在照明光学单元(610)中所设定的照明设定方面彼此不同或在成像光学单元(630)中所设定的偏振影响效应方面彼此不同。

公开(公告)号：CN109212896A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810729197.0

申请日：2018-07-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H.塞茨 ,  U.布特格雷特 ,  T.塞勒 ,  T.弗兰克 ,  U.马特吉卡 ,  M.德冈瑟 ,  R.比尔克纳 ,  D.格劳

IPC: G03F1/84

Abstract: 本发明关于特征化微光刻的掩模的方法及装置。在根据本发明的方法中，预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明，其中掩模(621)由成像光学单元(630)成像在检测器单元(640)上，其中由检测器单元(640)所记录的图像数据在评估单元(650)中被评估。在此情况下，为模拟针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定，在多个单独成像中进行掩模(621)到检测器单元(640)上的成像，其中多个单独成像在照明光学单元(610)中所设定的照明设定方面彼此不同或在成像光学单元(630)中所设定的偏振影响效应方面彼此不同。