公开(公告)号：CN102782531B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080063880.7

申请日：2010-12-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.韦伯

IPC: G02B5/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  B82Y30/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958

Abstract: 一种用于软X光和极紫外波长范围中的工作波长的反射光学元件形成用于EUV光刻的应力减少的反射光学元件。所述反射光学元件在基板（2）上包含至少两种交替材料（41、42）的第一多层系（4），所述至少两种交替材料在工作波长具有不同折射率实部，所述第一多层系对所述基板（2）施加层应力；并且所述反射光学元件在基板上包含至少两种交替材料（61、62）的第二多层系（6），所述第二多层系对所述基板（2）施加相反的层应力，并被布置在所述第一多层系（4）和所述基板（2）之间；其中所述第二多层系（6）的所述至少两种材料的第一材料（61）被所述第二多层系（6）的至少一个其它材料（62）的具有高至1nm厚度的一个或多个层在使所述第一材料（61）呈现非晶状态的距离处中断。在第二实施例中，第二多层系（6）的材料（61）之一为镍或镍合金。

公开(公告)号：CN102713690A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080056967.1

申请日：2010-11-08

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： S.马伦德 ,  J.韦伯 ,  W.克劳斯 ,  H-J.保罗 ,  G.布朗 ,  S.米古拉 ,  A.多多克 ,  C.扎克泽克 ,  G.范布兰肯哈根 ,  R.勒歇尔

IPC: G02B5/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  B82Y30/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958

Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la'；lb；lb'；lc；lc'），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P'''），该表面层系统（P'''）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H'''）和低折射率层（L'''）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。

公开(公告)号：CN102782531A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080063880.7

申请日：2010-12-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J.韦伯

IPC: G02B5/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  B82Y30/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958

Abstract: 一种用于软X光和极紫外波长范围中的工作波长的反射光学元件形成用于EUV光刻的应力减少的反射光学元件。所述反射光学元件在基板（2）上包含至少两种交替材料（41、42）的第一多层系（4），所述至少两种交替材料在工作波长具有不同折射率实部，所述第一多层系对所述基板（2）施加层应力；并且所述反射光学元件在基板上包含至少两种交替材料（61、62）的第二多层系（6），所述第二多层系对所述基板（2）施加相反的层应力，并被布置在所述第一多层系（4）和所述基板（2）之间；其中所述第二多层系（6）的所述至少两种材料的第一材料（61）被所述第二多层系（6）的至少一个其它材料（62）的具有高至1nm厚度的一个或多个层在使所述第一材料（61）呈现非晶状态的距离处中断。在第二实施例中，第二多层系（6）的材料（61）之一为镍或镍合金。

公开(公告)号：CN109154680B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201780026114.5

申请日：2017-03-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： C.格拉斯 ,  O.迪尔 ,  J.韦伯 ,  R.温特

IPC: G02B1/16 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。

公开(公告)号：CN115885218A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180044780.8

申请日：2021-06-08

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H.恩基什 ,  S.霍夫曼 ,  J.韦伯 ,  S.斯特罗贝尔 ,  M.里博夫 ,  C.诺特博姆 ,  M.斯特姆 ,  M.克劳斯

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明涉及一种生产用于EUV投射曝光设备的光学元件的方法，其中，成形层(221)被施加到衬底(20)上，使得所述成形层在被施加到衬底(20)上之后立即具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN109154680A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780026114.5

申请日：2017-03-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： C.格拉斯 ,  O.迪尔 ,  J.韦伯 ,  R.温特

IPC: G02B1/16 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70941 ,  G03F7/70958 ,  G03F2007/2067 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。

公开(公告)号：CN102713690B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201080056967.1

申请日：2010-11-08

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： S.马伦德 ,  J.韦伯 ,  W.克劳斯 ,  H-J.保罗 ,  G.布朗 ,  S.米古拉 ,  A.多多克 ,  C.扎克泽克 ,  G.范布兰肯哈根 ,  R.勒歇尔

IPC: G02B5/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  B82Y30/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  G02B5/0816 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958

Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P”’），该表面层系统（P”’）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H”’）和低折射率层（L”’）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。