公开(公告)号：CN102939567B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180029301.1

申请日：2011-06-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  M.韦斯 ,  C.扎克泽克 ,  T.哈克尔 ,  W.塞茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G21K5/04 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70916

Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。

公开(公告)号：CN102939567A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180029301.1

申请日：2011-06-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  M.韦斯 ,  C.扎克泽克 ,  T.哈克尔 ,  W.塞茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G21K5/04 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70916

Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。