公开(公告)号：CN102939567A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180029301.1

申请日：2011-06-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  M.韦斯 ,  C.扎克泽克 ,  T.哈克尔 ,  W.塞茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G21K5/04 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70916

Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。

公开(公告)号：CN102939567B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180029301.1

申请日：2011-06-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D.H.埃姆 ,  M.韦斯 ,  C.扎克泽克 ,  T.哈克尔 ,  W.塞茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G21K5/04 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70916

Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。

公开(公告)号：CN103858055A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280049100.2

申请日：2012-08-14

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M.韦斯 ,  N.克维恩 ,  M.韦瑟 ,  B.比特纳 ,  N.瓦布拉 ,  C.施利琴迈耶 ,  W.克劳斯

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/00 ,  G21K1/06 ,  G06F1/24 ,  G03F1/72 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B5/0891 ,  B29D11/00009 ,  B29D11/00865 ,  B82Y10/00 ,  G02B13/143 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39，包括施加在基板的表面上的层布置，其中，层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37，其中，所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层，其中，基板至少沿假想表面30具有按体积超过1％的密度变化，假想表面在距所述表面0μm和100μm之间的固定距离处，并且其中，基板通过保护层或通过层布置的保护层子系统或者通过基板的相应致密的表面区域35来防范因EUV辐射引起的长期老化或致密化。此外，本发明涉及一种制造这种反射光学元件的方法。而且，本发明涉及一种校正这种反射光学元件的方法、一种包括这种光学元件的投射镜头以及一种包括这种投射镜头的投射曝光设备。