公开(公告)号：CN1270418A

公开(公告)日：2000-10-18

申请号：CN00106016.3

申请日：2000-04-07

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 尾崎史郎 ,  枝泽健二 ,  杉山和弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/4985 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法,其中,若把半导体芯片在薄膜基片上进行键合时的键合条件设定为某一定条件,则薄膜基片的第1连接端子和半导体芯片的凸出电极相结合的部分的下面的粘合剂被吸出到周围,在粘合层上形成开口部。并且,在第1连接端子与凸出电极相结合的部分从粘合层的上面翘起来的状态下,对半导体芯片进行支承。因此,能防止热膨胀系数的差异引起第1连接端子与凸出电极的结合部分产生裂纹或导通不良。

公开(公告)号：CN1174486C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN00106016.3

申请日：2000-04-07

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 尾崎史郎 ,  枝泽健二 ,  杉山和弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/4985 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，其中，若把半导体芯片在薄膜基片上进行键合时的键合条件设定为某一定条件，则薄膜基片的第1连接端子和半导体芯片的凸出电极相结合的部分的下面的粘合剂被吸出到周围，在粘合层上形成开口部。并且，在第1连接端子与凸出电极相结合的部分从粘合层的上面翘起来的状态下，对半导体芯片进行支承。因此，能防止热膨胀系数的差异引起第1连接端子与凸出电极的结合部分产生裂纹或导通不良。