公开(公告)号：CN103608901B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280029289.9

申请日：2012-10-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  冈本和幸

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的半导体装置切割用粘结带100是通过在基材膜10上形成放射线固化型粘结剂层20而得到的，其中，上述基材膜10由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层2的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层1的熔点为140℃～150℃。

公开(公告)号：CN103320033A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310092140.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 荒桥知未 ,  冈本和幸

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片表面保护用粘合带，其能够防止残胶或灰尘、磨削水的浸入，并且能够以高厚度精度(TTV)磨削半导体晶片，能够降低半导体晶片的翘曲、破损。本发明的半导体晶片表面保护用粘合带，其特征在于，其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用粘合带，该粘合带在常温时相对不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的粘合力为0.8～2.5N/25mm，在加热到50℃时的粘合力为1N/25mm以下，且应力松弛率为10～18％。

公开(公告)号：CN103608901A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029289.9

申请日：2012-10-17

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  冈本和幸

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明的半导体装置切割用粘结带100是通过在基材膜10上形成放射线固化型粘结剂层20而得到的，其中，上述基材膜10由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层2的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层1的熔点为140℃～150℃。