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公开(公告)号：CN102974563B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210027831.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B3/12 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/6704
Abstract: 用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
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公开(公告)号：CN102974563A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210027831.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B3/12 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/6704
Abstract: 用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
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公开(公告)号：CN106057621A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510658912.2
申请日：2015-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/263 , H01J37/00 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L22/14 , H01L22/20 , H05F3/04 , H05F3/06 , H01J37/3288
Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第一处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间，基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。
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公开(公告)号：CN101192540B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200710109027.4
申请日：2007-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66575 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L21/823418 , H01L21/823462 , H01L29/7833
Abstract: 一种半导体装置的制作方法，该半导体装置具有双重扩散漏极。该方法包括：形成第一介电层于衬底上且遮蔽及图案化第一介电层；当图案化第一介电层后，沉积厚度小于第一介电层的第二介电层于图案化后的第一介电层之中；当设置上述第一及第二介电层形成阶梯图案后，依序施行第一与第二注入以分别注入具有不同能量或不同杂质的离子穿过第一及第二介电层，形成双重扩散漏极。或通过不同的能量方式，注入离子穿过第一及第二介电层以形成不同剂量的掺杂区域。或利用不同杂质(轻及重)取代不同能量注入的方式，注入离子穿过第一及第二介电层以形成不同剂量的掺杂区域。本发明可简化在半导体装置中双重扩散漏极的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN106057621B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510658912.2
申请日：2015-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/263 , H01J37/00 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L22/14 , H01L22/20 , H05F3/04 , H05F3/06
Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间,基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104658886B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410673482.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。
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公开(公告)号：CN103977981B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310167328.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02076 , H01L21/67051 , H05B1/0233
Abstract: 一些实施例涉及在晶圆清洁工具中提供均匀的晶圆温度分布而不在晶圆上引入不想要的颗粒的方法和装置。在一些实施例中，本发明的晶圆清洁工具具有被配置成用于容纳半导体晶圆的加工室。分配臂为半导体晶圆提供高温清洁溶液。加热杯在环绕半导体晶圆的周边的位置处设置在加工室内。加热杯产生热，该热使半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于半导体晶圆的中心的温度升高的量，从而使半导体晶圆的内部温度分布变均匀。本发明还提供了改进内部晶圆温度分布的装置。
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公开(公告)号：CN104658886A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410673482.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。
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公开(公告)号：CN103977981A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310167328.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02076 , H01L21/67051 , H05B1/0233 , H05B1/00
Abstract: 一些实施例涉及在晶圆清洁工具中提供均匀的晶圆温度分布而不在晶圆上引入不想要的颗粒的方法和装置。在一些实施例中，本发明的晶圆清洁工具具有被配置成用于容纳半导体晶圆的加工室。分配臂为半导体晶圆提供高温清洁溶液。加热杯在环绕半导体晶圆的周边的位置处设置在加工室内。加热杯产生热，该热使半导体晶圆的外边缘的温度升高的量大于半导体晶圆的中心的温度升高的量，从而使半导体晶圆的内部温度分布变均匀。本发明还提供了改进内部晶圆温度分布的装置。
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公开(公告)号：CN101740344A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910134148.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/673 , B08B3/00
CPC classification number: B08B7/0021 , B08B3/08 , B08B3/10
Abstract: 本发明提供一种半导体制造设备的清洁方法及装置。在该方法的一实施例中，将该半导体制造设备置于一腔室中；导入一流体至该腔室中；控制该流体的压力及温度使其转变为超流体状态；以该超临界流体接触该半导体制造设备以清洁该半导体制造设备；自该腔室中移去该超临界流体；以及自该腔室中移去该半导体制造设备。本发明在清洗半导体设备时不但清洗效率高，而且清洗设备使用方便，成本较低。
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