公开(公告)号：CN108231514A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711244023.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林琮闵 ,  简芳记 ,  周宏昕 ,  石兆立 ,  李明星

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32678 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/265 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 一种离子植入机包括离解腔室，所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波，以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。

公开(公告)号：CN1222040C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。

公开(公告)号：CN108231514B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201711244023.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林琮闵 ,  简芳记 ,  周宏昕 ,  石兆立 ,  李明星

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 一种离子植入机包括离解腔室，所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波，以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。

公开(公告)号：CN1459865A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。