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公开(公告)号：CN113140437B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110088298.6
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265 , F17D1/02 , F17D3/01 , F17D5/00 , F17D5/02
Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。
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公开(公告)号：CN111243925A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911192818.7
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本公开实施例提供一种在一离子布植机的一源电弧室中使用的排斥电极。排斥电极包括一轴以及具有一排斥表面的一排斥体。排斥表面具有一表面形状，其实质上装配于定位有排斥体的源电弧室的内室空间的形状。排斥体的边缘和源电弧室的内侧壁之间的间隙被最小化到一阈值水平，维持此阈值水平可以避免导电的排斥体和源电弧室的导电的内侧壁之间的短路。
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公开(公告)号：CN108231514A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711244023.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/32678 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/32412 , H01J37/32651 , H01J2237/3365 , H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/08
Abstract: 一种离子植入机包括离解腔室，所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波，以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。
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公开(公告)号：CN113140437A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110088298.6
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67 , H01L21/265 , F17D1/02 , F17D3/01 , F17D5/00 , F17D5/02
Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111088482A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911012054.9
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种转移系统。转移系统包括一真空腔室、一轴以及一真空旋转馈通。真空腔室耦接至一处理腔室。轴耦接至一滚珠螺杆，且滚珠螺杆以及轴配置在真空腔室中。真空旋转馈通包括一磁流体轴封，以提供一高真空密封，其中真空旋转馈通配置成通过真空腔室的一第一端并耦接至滚珠螺杆，以对滚珠螺杆提供一旋转运动。
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公开(公告)号：CN119230471A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411243003.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 提供了晶圆固定器件。晶圆固定器件包括配置为支撑半导体晶圆的台板和固定器组装件。固定器组装件包括：安装构件，耦合至台板；杠杆；以及偏置构件，包括耦合至杠杆的第一端和耦合至安装构件的第二端。偏置构件配置为将杠杆偏置至相对于台板的关闭位置。当杠杆处于关闭位置时，杠杆阻止半导体晶圆的移动。本申请的实施例还涉及操作晶圆固定器件的方法。
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公开(公告)号：CN108231514B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201711244023.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 一种离子植入机包括离解腔室，所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波，以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。
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公开(公告)号：CN113471045A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110182199.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 一种用于离子植入源的绝缘体可在离子植入源的高电压组件与相对较低电压组件之间提供电绝缘。为了减小沿绝缘体形成泄漏路径的可能性和/或防止沿绝缘体形成泄漏路径，绝缘体可包括具有来回图案的内部空腔。内部空腔的来回图案会增大离子植入源中的气体分子的平均自由程且会增大不直接暴露于或向外暴露于气体分子的绝缘体的表面积。这使得更难和/或更不可能沿绝缘体形成连续的膜或涂层，这会延长离子植入源的工作时间。
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公开(公告)号：CN109427521A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224239.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , C01F17/00 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082
Abstract: 本发明提供一种用于离子布植机的离子产生器。用于离子布植机的离子产生器包含一离子源电弧室及一热电子发射器，离子源电弧室包含一电弧室壳体，热电子发射器耦接至电弧室壳体。此外，热电子发射器包含一丝极以及一阴极，且阴极具有由功函数改质的导电材料所形成的一实心顶部，上述功函数改质的导电材料包含钨以及一功函数改质金属。
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