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公开(公告)号：CN113275741B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110043949.X
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光蚀刻系统以及液滴控制方法，光蚀刻系统利用锡液滴来产生用于光蚀刻制程的极紫外辐射。该光蚀刻系统用一激光器照射这些液滴。这些液滴变为通电且发射极紫外辐射。一收集器将该极紫外辐射朝向一光蚀刻靶反射。该光蚀刻系统通过使用一充电电极在这些液滴内产生一净电荷且通过在一相对电极内施加一电场来使这些液滴减速，来减少这些锡液滴到该接收器上的回溅。
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公开(公告)号：CN115202156A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110914793.8
申请日：2021-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种减少氢气渗透的装置与半导体元件的制造方法，此装置用以在产生极紫外光(EUV)辐射时，减少罩幕的氢渗透。此装置包含罩幕平台配置以支承罩幕、氢气分配喷嘴配置以在罩幕下方喷出氢气、及轨迹校正组件。轨迹校正组件包含校正喷嘴及气流侦测器。校正喷嘴配置以分配至少一种整流气体，以调整氢气的轨迹远离罩幕，借以减少在罩幕边缘的氢气渗透。气体流动侦测器配置以测量由至少一种整流气体所调整的氢气的气流变化。
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公开(公告)号：CN110824855B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910687144.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种微影系统及其操作方法。提供了包括如下步骤的方法。朝向激发区域射出主液滴及卫星液滴。卫星液滴远离激发区域偏转。激光光束朝向激发区域发射以激发主液滴来产生极紫外光。使用第一光学反射器将极紫外光导引至光罩上，以使得赋予极紫外光具有光罩的图案。使用第二光学反射器将具有此图案的极紫外光导引至晶圆上。
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公开(公告)号：CN110729172B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910344664.2
申请日：2019-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种清洁方法及装置，方法包括将晶圆传送至晶圆卡盘上的位置；经由晶圆卡盘将顶销提升至晶圆；经由顶销的侧壁上的多个第一开口将气体引入晶圆与晶圆卡盘之间的区域；以及降低顶销直至晶圆到达晶圆卡盘为止。
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公开(公告)号：CN110834267B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910104279.0
申请日：2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/015 , B24B49/14 , B24B49/16 , B24B57/02
Abstract: 一种化学机械研磨方法及其装置。化学机械研磨方法包括以下步骤。固持一载体中的一晶圆于研磨垫之上。分配一第一浆料至载体中，第一浆料包括多个第一打磨微粒。旋转载体、研磨垫或其组合。暂停分配第一浆料。在暂停分配第一浆料之后，分配第二浆料至载体中，其中第二浆料包括小于第一打磨微粒的多个第二打磨微粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729172A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910344664.2
申请日：2019-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种清洁方法及装置，方法包括将晶圆传送至晶圆卡盘上的位置；经由晶圆卡盘将顶销提升至晶圆；经由顶销的侧壁上的多个第一开口将气体引入晶圆与晶圆卡盘之间的区域；以及降低顶销直至晶圆到达晶圆卡盘为止。
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公开(公告)号：CN108953664A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710778624.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16K7/12 , F16K31/122 , F16K37/00
CPC classification number: B05C11/1002 , B05C5/02 , B05C11/08 , F16K7/126 , F16K23/00 , F16K31/1221 , F16K37/0041 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , F16K7/123 , F16K37/0091
Abstract: 一种防滴落系统，包括：第一自动控制阀，第一自动控制阀的输入端流体连接至要分配的流体源，第一自动控制阀具有自完全闭合至完全开启的位置；第二自动控制阀，第二自动控制阀的输入端流体连接至第一自动控制阀的输出端，第二自动控制阀的输出端流体连接至喷嘴，第二自动控制阀具有自完全闭合至完全开启的位置；代理感测器，配置以产生代理信号，代理信号表示第一自动控制阀的位置的间接量测；以及控制器，电性连接至第一自动控制阀，第二自动控制阀与代理感测器，配置控制器以使第二自动控制阀根据代理信号闭合，从而中断流至喷嘴的液体流。
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公开(公告)号：CN115524919A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210248016.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种倍缩光罩外壳、舱以及处置的方法，倍缩光罩外壳包括：一基座，该基座包括一第一表面；一盖，该盖包括一第二表面且设置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间，该内部空间包括一倍缩光罩；及设置于该第一表面上的一静电放电材料层，其中该静电放电材料减小该倍缩光罩上的静电电荷。
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公开(公告)号：CN115079518A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110259188.1
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在本揭示内容的一些实施方式中，提供一种微影系统及其方法，微影系统包括：辐射源、光罩台、反射式光罩、以及光学元件。辐射源配置以产生辐射光。光罩台包括基座以及位于基座上的光触媒层。反射式光罩设置于基座上，其中光触媒层设置于反射式光罩的一侧。光学元件配置以将辐射光照射至反射式光罩上。
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公开(公告)号：CN110660699B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201811564406.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种分配流体的设备以及分配方法、用于半导体制造的设备。用于分配流体的设备包括、流体源、喷头以及多个销。喷头具有内层及外层，内层界定与流体源流体连通的孔。每个销可移动以与外层实体接触，其中销可操作以朝向外层施加力来调整孔的横截面。
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