公开(公告)号：CN1952784A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610007891.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高铭昌 ,  张志光 ,  翁福田 ,  张笔政

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法与半导体影像感测装置。首先，提供一基底，而基底具有至少一光感测元件。接着，于该基底上，形成一光敏层。以一光罩进行第一次曝光。以该光罩进行第二次曝光。去除部分的该光敏层，以使存留的部分的该光敏层形成至少一微透镜。对该微透镜进行回流。本发明所述的形成微透镜的方法与半导体影像感测装置，可以制作比较薄且焦距长的透镜，而且能够降低微透镜两两粘合的问题。

公开(公告)号：CN101105543A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710106750.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓世杰 ,  张志光 ,  郭晋辰 ,  高铭昌 ,  翁福田 ,  张笔政

IPC: G02B3/00 ,  H01L21/71 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G02B3/0018

Abstract: 一种微透镜装置及其制造方法，该微透镜装置的制造方法，借由沉积微透镜材料层于基材上，其中基材包括光感应器。接着，微透镜材料层经曝光及显影后，定义出微透镜材料元件，其包括第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。每一第二微透镜材料元件的厚度实质厚于每一第一微透镜材料元件。之后，加热微透镜材料元件而形成微透镜阵列，其包括第一微透镜阵列元件及第二微透镜阵列元件，而每一第一微透镜阵列元件及每一第二微透镜阵列元件分别对应于第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。本发明还公开了该微透镜装置。本发明能改善CMOS影像感应器灵敏度。

公开(公告)号：CN100458571C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610007891.9

申请日：2006-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高铭昌 ,  张志光 ,  翁福田 ,  张笔政

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法与半导体影像感测装置。首先，提供一基底，而基底具有至少一光感测元件。接着，于该基底上，形成一光敏层。以一光罩进行第一次曝光。以该光罩进行第二次曝光。去除部分的该光敏层，以使存留的部分的该光敏层形成至少一微透镜。对该微透镜进行回流。本发明所述的形成微透镜的方法与半导体影像感测装置，可以制作比较薄且焦距长的透镜，而且能够降低微透镜两两粘合的问题。

公开(公告)号：CN100573199C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710106750.7

申请日：2007-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓世杰 ,  张志光 ,  郭晋辰 ,  高铭昌 ,  翁福田 ,  张笔政

IPC: G02B3/00 ,  H01L21/71 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G02B3/0018

Abstract: 一种微透镜装置及其制造方法，该微透镜装置的制造方法，借由沉积微透镜材料层于基材上，其中基材包括光感应器。接着，微透镜材料层经曝光及显影后，定义出微透镜材料元件，其包括第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。每一第二微透镜材料元件的厚度实质厚于每一第一微透镜材料元件。之后，加热微透镜材料元件而形成微透镜阵列，其包括第一微透镜阵列元件及第二微透镜阵列元件，而每一第一微透镜阵列元件及每一第二微透镜阵列元件分别对应于第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。本发明还公开了该微透镜装置。本发明能改善CMOS影像感应器灵敏度。

公开(公告)号：CN1885526A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610083628.8

申请日：2006-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁福田 ,  萧玉焜 ,  徐宏仁 ,  戴逸明 ,  郭晋辰 ,  曾德富 ,  张志光 ,  邓世杰 ,  熊中圣 ,  张笔政

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146 ,  G02B5/23

Abstract: 本发明是有关于一种处理基材的方法及其应用元件。此基材具有至少一滤光区、复数个焊垫以及复数个切割线，其中这些切割线环绕滤光区与焊垫。形成第一平坦化层于基材上。此第一平坦化层在上述的滤光区、焊垫与切割线上具有实质平坦的上表面。在第一平坦化层覆盖于上述的焊垫与切割线上时，形成至少一彩色光阻层于第一平坦化层上且位于滤光区中。