公开(公告)号：CN103359682A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210279330.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  郑创仁 ,  刘怡劭 ,  张华伦 ,  陈庆叡 ,  李也曾 ,  林文香

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00214 ,  B82Y20/00 ,  G01N27/44791

Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103359682B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210279330.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  郑创仁 ,  刘怡劭 ,  张华伦 ,  陈庆叡 ,  李也曾 ,  林文香

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00214 ,  B82Y20/00 ,  G01N27/44791

Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。