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公开(公告)号：CN113270391B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110129817.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01N27/27 , G01N27/414
Abstract: 生物传感器系统封装件，包括：晶体管结构，位于具有前侧和背侧的半导体层中，晶体管结构包括沟道区域；埋氧(BOX)层，位于半导体层的背侧上，其中，埋氧层具有位于沟道区域的背侧上的开口，并且界面层覆盖沟道区域上方的背侧；多层互连(MLI)结构，位于半导体层的前侧上，晶体管结构电连接至MLI结构；以及覆盖结构，附接至埋氧层，覆盖结构包括微针。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN102757015B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN110554177B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201910023425.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种用于生物感测的生物场效晶体管装置、微流体系统以及使用生物场效晶体管装置的方法。微流体系统包括：半导体衬底，具有第一表面以及相对平行第二表面；第一生物场效晶体管(bioFET)传感器；以及第二bioFET传感器。界面层设置于第一开口以及第二开口中的至少每一个中。系统包括具有差分放大器的读出电路，差分放大器设计成测量与第一bioFET传感器以及第二bioFET传感器相关联的信号之间的差值。系统还包括微流体网络，微流体网络设计成将流体传递到设置于第一开口以及第二开口中的每一个中的界面层。
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公开(公告)号：CN110780691A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910699918.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05D23/20
Abstract: 在一实施例中，一种控制系统包括：误差放大器；温度传感器，其中温度传感器耦接到误差放大器；离散时间控制器，耦接到误差放大器，其中离散时间控制器包括数字电路；多位量化器，耦接到离散时间控制器，其中多位量化器产生数字码输出；以及加热阵列，耦接到多位量化器，其中加热阵列配置成基于数字码输出产生热量。
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公开(公告)号：CN110554177A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910023425.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种用于生物感测的生物场效晶体管装置、微流体系统以及使用生物场效晶体管装置的方法。微流体系统包括：半导体衬底，具有第一表面以及相对平行第二表面；第一生物场效晶体管(bioFET)传感器；以及第二bioFET传感器。界面层设置于第一开口以及第二开口中的至少每一个中。系统包括具有差分放大器的读出电路，差分放大器设计成测量与第一bioFET传感器以及第二bioFET传感器相关联的信号之间的差值。系统还包括微流体网络，微流体网络设计成将流体传递到设置于第一开口以及第二开口中的每一个中的界面层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103382016B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310138552.4
申请日：2013-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 采用集成封装件的BioMEMS和平面光电路。公开了一种BioMEMS微机电装置及其制造方法。提供衬底，在该衬底上形成至少一个信号管道。可以在信号管道上沉积由牺牲材料构成的牺牲层并且可选地对该牺牲层进行图案化以从封装覆盖区域外部去除牺牲材料。可以在信号管道的至少一部分上以及牺牲层(若包括的话)上沉积接合层。可以对接合层进行平坦化和图案化以形成一个或多个覆盖件接合垫并且限定封装覆盖区域。可以将覆盖件接合在覆盖件接合垫上以限定覆盖区域，从而使得信号管道从覆盖区域外部延伸至覆盖区域内部。此外，可以在覆盖区域内提供诸如流体的测试材料。
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公开(公告)号：CN103359682A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102757015A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN113273962B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110129498.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种生物传感器装置、半导体生物传感器器件及其操作方法。生物传感器装置包括生物传感器器件和被配置为附接到生物传感器器件的盖。该生物传感器装置包括布置在用户皮肤上方的表面部分和注入用户皮肤中的可植入部分。可植入部分包括弯曲检测器和传感电路。感测电路包括生物标记传感器阵列、控制生物标记传感器阵列、温度传感器和/或生物污垢检测器中的一个或多个。
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公开(公告)号：CN110779977A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910701883.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: 在实施例中，一种感测装置包括：电极，被配置成在对所述电极施加第一电压时改变所述电极上方的液体微滴的接触角；感测膜，叠盖所述电极，其中所述电极被配置成基于在所述电极处感测的第二电压而评估所述液体微滴的状态；参考电极，位于所述电极上方，所述参考电极被配置成提供参考电压；以及微流体沟道，位于所述电极与所述参考电极之间，其中所述微流体沟道被配置成使用所述电极来操纵所述液体微滴。
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