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公开(公告)号：CN109835868B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201810524534.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种具有不同的沟槽深度的微机电系统封装体，及制造上述微机电系统封装体的方法。在一些实施例中，第一装置区中的第一沟槽和切割道区中的切割沟槽系形成在盖基板的前侧。随后，在盖基板上形成并图案化硬掩模。然后，在硬掩模到位的情况下，对盖基板进行蚀刻，使得第一沟槽的底表面的未覆盖部分被凹蚀，而第一沟槽的底表面的覆盖部分并未改变以在第一沟槽中形成停止部。然后，将盖基板的前侧接合到装置基板，将第一沟槽封闭在第一微机电系统装置上。
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公开(公告)号：CN110660781A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910573332.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及一种金属-绝缘体-金属电容器，其具有上覆在衬底上的顶部电极。钝化层上覆在顶部电极上。钝化层具有台阶区，所述台阶区从顶部电极的顶表面连续地延伸到顶部电极的侧壁并连续地接触顶部电极的顶表面及侧壁。金属框架上覆在钝化层上。金属框架从钝化层的顶表面连续地延伸到台阶区中钝化层的上侧壁并连续地接触钝化层的顶表面及所述上侧壁。金属框架具有突起部，所述突起部延伸穿过钝化层并接触顶部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN109835865A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN110957413B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N30/87 , H10N30/00 , H10N30/063
Abstract: 本公开的各种实施例涉及用于压电装置的击穿电压增强的结构与方法。一种压电金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)装置包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109835865B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN112441553A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911174299.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及集成芯片。所述微机电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构与第一介电结构之间的第一电极。
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公开(公告)号：CN110957413A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912617.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/293
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种压电金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)装置，其包含顶部电极与底部电极之间的压电结构。压电层包含上覆底部区域的顶部区域。底部区域的外侧壁延伸穿过顶部区域的外侧壁。顶部区域的外侧壁与顶部电极的外侧壁对齐。压电层配置成有助于限制顶部电极与压电层的分层。
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公开(公告)号：CN109835868A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810524534.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例涉及一种具有不同的沟槽深度的微机电系统封装体，及制造上述微机电系统封装体的方法。在一些实施例中，第一装置区中的第一沟槽和切割道区中的切割沟槽系形成在盖基板的前侧。随后，在盖基板上形成并图案化硬掩模。然后，在硬掩模到位的情况下，对盖基板进行蚀刻，使得第一沟槽的底表面的未覆盖部分被凹蚀，而第一沟槽的底表面的覆盖部分并未改变以在第一沟槽中形成停止部。然后，将盖基板的前侧接合到装置基板，将第一沟槽封闭在第一微机电系统装置上。
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公开(公告)号：CN220149225U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321062052.2
申请日：2023-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种包括上覆于半导体衬底的内连线结构的集成芯片。上部介电结构上覆于内连线结构。微机电系统衬底上覆于上部介电结构。在微机电系统衬底和上部介电结构之间定义出空腔。微机电系统衬底包括在空腔上方的可移动膜。空腔电极设置在上部介电结构中并位于空腔下方。多个止挡结构设置在可移动膜和空腔电极之间的空腔中。沿空腔电极的顶面设置介电保护层。介电保护层具有比上部介电结构更大的介电常数。
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