公开(公告)号：CN106672889B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201610724049.0

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  邓伊筌 ,  谢政宇 ,  曾李全 ,  林诗玮 ,  刘世昌

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN109205548B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201711269755.1

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  赖飞龙 ,  蔡尚颖 ,  谢政宇

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。

公开(公告)号：CN109205548A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711269755.1

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  赖飞龙 ,  蔡尚颖 ,  谢政宇

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。

公开(公告)号：CN106672889A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610724049.0

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  邓伊筌 ,  谢政宇 ,  曾李全 ,  林诗玮 ,  刘世昌

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B3/0005 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/02 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00277 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/11

Abstract: 半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。