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公开(公告)号：CN102471874B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080025396.5
申请日：2010-08-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C27/02 , C22F1/18
Abstract: 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
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公开(公告)号：CN103827349B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280047223.2
申请日：2012-09-12
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426
Abstract: 一种背衬板一体型溅射靶，其特征在于，背衬板一体型溅射靶中，凸缘部的维氏硬度Hv为90以上，且凸缘部的0.2%屈服应力为6.98×107N/m2以上。通过仅提高靶的凸缘部的机械强度，能够抑制溅射中靶的变形，并且不会改变现有的溅射特性，能够形成均匀性优良的薄膜。由此，能够提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率、可靠性。
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公开(公告)号：CN103069044B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180038674.5
申请日：2011-08-02
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/14 , C22C27/02 , C23C14/3414
Abstract: 一种钽溅射靶，其特征在于，含有30质量ppm以上且100质量ppm以下的氧作为必要成分，并且除氧和气体成分以外的纯度为99.998%以上。该钽溅射靶的平均晶粒直径为120μm以下、晶粒直径的偏差为±20%以下。可以得到具备均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
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公开(公告)号：CN103890227A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052810.0
申请日：2012-04-27
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Abstract: 一种溅射用钛靶，其为高纯度钛靶，其特征在于，含有0.5～5质量ppm的S作为添加成分，除了添加成分和气体成分以外，靶的纯度为99.995质量％以上。本发明的课题在于提供一种即使在高功率溅射(高速溅射)时也不会产生龟裂或破裂、能够使溅射特性稳定的高品质的溅射用钛靶。
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公开(公告)号：CN103827349A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047223.2
申请日：2012-09-12
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426
Abstract: 一种背衬板一体型溅射靶，其特征在于，背衬板一体型溅射靶中，凸缘部的维氏硬度Hv为90以上，且凸缘部的0.2%屈服应力为6.98×107N/m2以上。通过仅提高靶的凸缘部的机械强度，能够抑制溅射中靶的变形，并且不会改变现有的溅射特性，能够形成均匀性优良的薄膜。由此，能够提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103459654A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280011361.5
申请日：2012-02-15
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , C22F1/00
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜钛合金制溅射靶，Ti为3原子%以上且小于15原子%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，靶的面内方向的硬度的偏差(标准差)为5.0以内，电阻的偏差(标准差)为1.0以内。本发明提供用于形成半导体用铜钛合金制布线的溅射靶、半导体用铜钛合金制布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件，所述溅射靶使半导体用铜合金布线自身具有自扩散抑制功能、能够有效地防止由活性Cu的扩散导致的布线周围的污染、并且使耐电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高、能够任意且容易地形成阻挡层、而且能够使膜特性均匀化。
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公开(公告)号：CN102356179B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201080012120.3
申请日：2010-04-23
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C22C27/00 , C22C27/02 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的铌作为必要成分，并且除铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明的目的在于得到具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
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公开(公告)号：CN104018127B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201410193174.4
申请日：2010-08-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C27/02 , C22F1/18
Abstract: 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
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公开(公告)号：CN104066868B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380006379.0
申请日：2013-01-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶，其含有0.05～20重量％的Mn，除添加元素以外，其余部分为Cu和不可避免的杂质，该靶的特征在于，含有0.001～0.06重量ppm的P和0.005～5重量ppm的S，并且，还含有Ca和Si，且P、S、Ca、Si的合计量为0.01～20重量ppm。通过这样在铜中含有适当量的Mn元素和Ca、P、Si、S，能够改善在制作靶的阶段中所需要的切削性，使靶的制作(加工性)变得容易，并且能够改善靶表面的光滑性，且能够抑制溅射时产生粉粒。特别是提供对于提高微细化、高集成化发达的半导体制品的成品率和可靠性有用的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN103052733A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201180038023.6
申请日：2011-07-21
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且50质量ppm以下的硼作为必要成分，并且除硼和气体成分以外的纯度为99.998%以上。本发明的目的在于得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
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