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公开(公告)号:CN103547701B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201280024764.3
申请日:2012-09-06
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/05 , C22F1/00 , C22F1/08
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,含有0.05~20重量%的Mn,剩余部分为Cu和不可避免的杂质,其特征在于,该靶的Mn浓度的面内波动(CV值)为3%以下。这样,通过向铜中添加适当量的Mn元素并且减小溅射靶的面内波动,能够形成均匀性优良的薄膜。特别是提供可用于提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率和可靠性的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号:CN104066868A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201380006379.0
申请日:2013-01-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,其含有0.05~20重量%的Mn,除添加元素以外,其余部分为Cu和不可避免的杂质,该靶的特征在于,含有0.001~0.06重量ppm的P和0.005~5重量ppm的S,并且,还含有Ca和Si,且P、S、Ca、Si的合计量为0.01~20重量ppm。通过这样在铜中含有适当量的Mn元素和Ca、P、Si、S,能够改善在制作靶的阶段中所需要的切削性,使靶的制作(加工性)变得容易,并且能够改善靶表面的光滑性,且能够抑制溅射时产生粉粒。特别是提供对于提高微细化、高集成化发达的半导体制品的成品率和可靠性有用的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号:CN103797152A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280044705.2
申请日:2012-09-05
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/05 , H01L21/285 , H01L21/28
CPC classification number: C23C14/14 , C22C9/05 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,含有0.05~20重量%的Mn,C为2重量ppm以下,剩余部分为Cu和不可避免的杂质,其特征在于,溅射该靶而在晶片上成膜时,C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素的化合物的直径0.20μm以上的粉粒的数量为平均30个以下。这样,通过向铜中添加适当量的Mn元素并且限制碳的量,能够有效地抑制溅射时产生粉粒。特别是提供可用于形成具有自扩散抑制功能的半导体用铜合金布线的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号:CN103732789A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280021334.6
申请日:2012-02-03
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C14/00 , C22F1/183 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429
Abstract: 一种溅射用钛靶,其为高纯度钛靶,其特征在于,含有总计为3~100质量ppm的选自Al、Si、S、Cl、Cr、Fe、Ni、As、Zr、Sn、Sb、B、La中的一种以上元素作为添加成分,除添加成分和气体成分以外,靶的纯度为99.99质量%以上。本发明的课题在于提供即使在高功率溅射(高速溅射)时也不会产生裂纹或破裂、能够使溅射特性稳定的高品质溅射用钛靶。
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公开(公告)号:CN103547701A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201280024764.3
申请日:2012-09-06
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/05 , C22F1/00 , C22F1/08
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,含有0.05~20重量%的Mn,剩余部分为Cu和不可避免的杂质,其特征在于,该靶的Mn浓度的面内波动(CV值)为3%以下。这样,通过向铜中添加适当量的Mn元素并且减小溅射靶的面内波动,能够形成均匀性优良的薄膜。特别是提供可用于提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率和可靠性的高纯度铜锰合金溅射靶。
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公开(公告)号:CN103180482B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201180051337.X
申请日:2011-10-24
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C14/00 , C22F1/183 , C23C14/3414
Abstract: 一种溅射用钛靶,其特征在于,肖氏硬度为Hs20以上,并且基面取向率为70%以下。上述溅射用钛靶,其特征在于,除气体成分以外的钛的纯度为99.995质量%以上。本发明课题在于提供一种高品质的溅射用钛靶,所述钛靶在使杂质降低的同时,即使在高功率溅射(高速溅射)时也不产生龟裂、破裂,能够使溅射特性稳定,能够有效地抑制成膜时的粉粒产生。
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公开(公告)号:CN103348035B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201180004937.0
申请日:2011-12-09
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , C04B2237/76 , C23C14/564
Abstract: 一种溅射靶,将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成,所述溅射靶的特征在于,在排列的多个各分割靶的表面,具有从距该分割靶的侧面的距离为23.0mm~0.10mm的位置朝向分割靶的侧面向下倾斜的5~40°的斜坡。本发明的课题在于提供一种溅射靶、特别是FPD用溅射靶,其即使在分割靶的连续溅射时,也能够抑制结核的产生和异常放电,并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异,即得到膜特性的均匀性高的膜。
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公开(公告)号:CN103348035A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201180004937.0
申请日:2011-12-09
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B37/026 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , C04B2237/76 , C23C14/564
Abstract: 一种溅射靶,将多个分割靶排列到背衬板上并且与该背衬板接合而构成,所述溅射靶的特征在于,在排列的多个各分割靶的表面,具有从距该分割靶的侧面的距离为23.0mm~0.10mm的位置朝向分割靶的侧面向下倾斜的5~40°的斜坡。本发明的课题在于提供一种溅射靶、特别是FPD用溅射靶,其即使在分割靶的连续溅射时,也能够抑制结核的产生和异常放电,并且在与间隙部分对置的基板上形成的膜的特性与其他部分的膜的特性没有差异,即得到膜特性的均匀性高的膜。
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公开(公告)号:CN102264538A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200980152969.8
申请日:2009-12-22
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: B32B15/08 , B32B15/088 , H05K1/03 , H05K1/09
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/12 , B32B15/20 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B2307/202 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2307/732 , H05K1/0346 , H05K3/388 , H05K2201/0154 , H05K2203/095 , H05K2203/1545 , Y10T428/12569
Abstract: 本发明提供一种无粘接剂柔性层压板,其由至少一面经过了等离子体处理的聚酰亚胺薄膜、形成于进行了等离子体处理的聚酰亚胺薄膜的面的过渡层、形成于过渡层上的由铜或铜合金中的任意一种构成的金属晶种层、以及形成于金属晶种层上的由铜或铜合金中的任意一种构成的金属导体层构成,其特征在于,所述过渡层中混入的Cu的原子百分比在0.5at%以下。其课题在于提供在制作柔性层压板(特别是双层金属化层积体)的情况下,能够有效地抑制剥离强度的降低的柔性层压板。
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公开(公告)号:CN104066868B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201380006379.0
申请日:2013-01-04
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,其含有0.05~20重量%的Mn,除添加元素以外,其余部分为Cu和不可避免的杂质,该靶的特征在于,含有0.001~0.06重量ppm的P和0.005~5重量ppm的S,并且,还含有Ca和Si,且P、S、Ca、Si的合计量为0.01~20重量ppm。通过这样在铜中含有适当量的Mn元素和Ca、P、Si、S,能够改善在制作靶的阶段中所需要的切削性,使靶的制作(加工性)变得容易,并且能够改善靶表面的光滑性,且能够抑制溅射时产生粉粒。特别是提供对于提高微细化、高集成化发达的半导体制品的成品率和可靠性有用的高纯度铜锰合金溅射靶。
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