公开(公告)号：CN120040729A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510197761.9

申请日：2025-02-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 姚旺 ,  约瑟夫.卡梅隆 ,  彼得.斯喀巴勒

IPC: C08G61/12 ,  H10K30/86 ,  H10K10/46 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明涉及有机半导体材料制造技术领域，具体的说是一种工艺合理、制备简便，能够在应用于空穴传输材料时，显著提高空穴注入能力、改善界面处的分子排布堆积，增强电荷传输能力，进而提升OLED器件性能的有机半导体材料及其制备方法和应用，所述有机半导体材料的化学式为：#imgabs0#本发明可采用具有界面调控能力的取代基团，以侧链形式连接到D‑A交替共轭聚合物上，在提高空穴注入能力的同时，提高空穴传输能力，改善界面处的分子排布堆积，增强电荷传输能力，进而提升OLED器件性能。

公开(公告)号：CN113524741A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110864256.7

申请日：2021-07-29

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 王华涛 ,  吴绪磊 ,  高峰 ,  钟博 ,  王春雨 ,  张涛 ,  周薇薇 ,  姚旺

IPC: B29D7/01 ,  C08L75/04 ,  C08L33/02 ,  C08L83/04 ,  C08K7/00 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明提供了一种竖直排列的氮化硼纳米片高分子复合材料导热薄片及其制备方法，所述复合材料以片状结构的氮化硼纳米片为填料，添加到高分子基体中，通过搅拌、流延工艺形成具有水平排列的氮化硼纳米片高分子复合膜，再将氮化硼纳米片高分子复合膜经过堆叠、热压熔合和纱线切割工艺制备竖直排列的氮化硼纳米片高分子复合材料导热薄片。因为氮化硼纳米片在高分子基体中呈现竖直排列特征，减小了界面热阻，提高了材料的导热系数，且通过纱线切割工艺可以得到厚度在0.05‑0.40 mm的复合材料导热薄片，热阻更小，利于传热。该方法简单、可靠、操作性强，可应用于氮化硼纳米片与众多体系高分子复合材料的制备。本发明提供的方法所制备的氮化硼纳米片复合材料导热薄片可广泛应用于电子产品的热管理中。

公开(公告)号：CN120040730A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510197773.1

申请日：2025-02-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 姚旺 ,  约瑟夫.卡梅隆 ,  彼得.斯喀巴勒

IPC: C08G61/12 ,  H10K30/86 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明涉及有机半导体材料制造技术领域，具体的说是一种工艺合理、制备简便，能够在应用于空穴传输材料时，显著提高空穴注入能力、改善界面处的分子排布堆积，进而提升OLED器件性能的有机半导体材料及其制备方法和应用，其特征在于，有机半导体材料的化学式为：#imgabs0#本发明通过采用具有强极性取代基团，以侧链形式连接到D‑A交替共轭聚合物上，在提高聚合物溶解能力的同时，获得与ITO匹配的能级，改善聚合物分子间的排布堆积，进而提升多层OLED器件的性能。