公开(公告)号：CN120040730A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510197773.1

申请日：2025-02-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 姚旺 ,  约瑟夫.卡梅隆 ,  彼得.斯喀巴勒

IPC: C08G61/12 ,  H10K30/86 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明涉及有机半导体材料制造技术领域，具体的说是一种工艺合理、制备简便，能够在应用于空穴传输材料时，显著提高空穴注入能力、改善界面处的分子排布堆积，进而提升OLED器件性能的有机半导体材料及其制备方法和应用，其特征在于，有机半导体材料的化学式为：#imgabs0#本发明通过采用具有强极性取代基团，以侧链形式连接到D‑A交替共轭聚合物上，在提高聚合物溶解能力的同时，获得与ITO匹配的能级，改善聚合物分子间的排布堆积，进而提升多层OLED器件的性能。

公开(公告)号：CN120040729A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510197761.9

申请日：2025-02-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 姚旺 ,  约瑟夫.卡梅隆 ,  彼得.斯喀巴勒

IPC: C08G61/12 ,  H10K30/86 ,  H10K10/46 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明涉及有机半导体材料制造技术领域，具体的说是一种工艺合理、制备简便，能够在应用于空穴传输材料时，显著提高空穴注入能力、改善界面处的分子排布堆积，增强电荷传输能力，进而提升OLED器件性能的有机半导体材料及其制备方法和应用，所述有机半导体材料的化学式为：#imgabs0#本发明可采用具有界面调控能力的取代基团，以侧链形式连接到D‑A交替共轭聚合物上，在提高空穴注入能力的同时，提高空穴传输能力，改善界面处的分子排布堆积，增强电荷传输能力，进而提升OLED器件性能。