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公开(公告)号：CN118176159A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280071237.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 哈恩-席卡德应用研究学会
IPC: B81C1/00 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 在第一方面，本发明涉及一种用于生产用于半导体部件的过孔的方法。半导体部件包括由竖向沟槽包围的过孔区域。竖向沟槽仅部分地填充有电介质，因此特别是所产生的寄生电容已显着减小。在第二方面，本发明涉及一种通过根据本发明的方法生产的半导体部件。
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