-
公开(公告)号：CN117083514A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280018241.1
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈恩-席卡德应用研究学会
Inventor： 阿希姆·比特纳 , 阿尔方斯·德厄 , 阿纳尼娅·斯里瓦斯塔瓦
IPC: G01N21/17
Abstract: 在第一方面，本发明涉及一种用于产生气密地密封的气体填充的参考室的方法。由此，仅在形成参考室的晶片键合之后，在单独的涂覆室中经由开口引入填充参考室的气体。参考室优选地包含MEMS设备。在另一方面，本发明涉及一种包括这种参考室的光声气体传感器，在该参考室内存在MEMS传感器。
Search Results
1
records
(took 0.034 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
