公开(公告)号：CN102906873B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180024880.0

申请日：2011-05-20

Applicant: 哈里公司

Inventor： D·M·史密斯

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49071 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置（100）包括具有相对的第一和第二表面（102a、102b）的半导体基板（102）。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件（104）。该平坦电感部件（103）包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组（104）的独立式电导体，其中，该电导体具有宽度和高度，并且其中，高宽（HW）比显著大于1。

公开(公告)号：CN103918045B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201280054551.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈里公司

Inventor： M·R·维泽斯普恩 ,  L·J·小雷恩德克 ,  L·W·沙克莱泰 ,  R·P·马洛尼 ,  D·M·史密斯

IPC: H01F17/00 ,  H05K3/20 ,  H01F41/04 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F5/00 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H05K1/165 ,  H05K3/146 ,  H05K3/16 ,  H05K3/20 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/0305 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49071 ,  Y10T29/49073 ,  Y10T29/49075

Abstract: 一种方法用于制作电感应器。该方法包括：形成第一子单元，其具有牺牲基板和在该牺牲基板上的导电层，所述导电层限定电感应器，并且包括第一金属。该方法包括：形成第二子单元，其具有介电层和在该介电层上的导电层，所述导电层限定电感应器端子，并且具有第一金属；并且将第二金属涂覆到第一子单元和第二子单元中的一个的第一金属上。该方法包括：将第一子单元和第二子单元一起对齐；对对齐的第一子单元和第二子单元进行加热和加压以形成第一金属和第二金属的将相邻金属部分接合在一起的金属间化合物；并且移除牺牲基板。

公开(公告)号：CN103918045A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054551.5

申请日：2012-10-10

Applicant: 哈里公司

Inventor： M·R·维泽斯普恩 ,  L·J·小雷恩德克 ,  L·W·沙克莱泰 ,  R·P·马洛尼 ,  D·M·史密斯

IPC: H01F17/00 ,  H05K3/20 ,  H01F41/04 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F5/00 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H05K1/165 ,  H05K3/146 ,  H05K3/16 ,  H05K3/20 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/0305 ,  H05K2201/1003 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49071 ,  Y10T29/49073 ,  Y10T29/49075

Abstract: 一种方法用于制作电感应器。该方法包括：形成第一子单元，其具有牺牲基板和在该牺牲基板上的导电层，所述导电层限定电感应器，并且包括第一金属。该方法包括：形成第二子单元，其具有介电层和在该介电层上的导电层，所述导电层限定电感应器端子，并且具有第一金属；并且将第二金属涂覆到第一子单元和第二子单元中的一个的第一金属上。该方法包括：将第一子单元和第二子单元一起对齐；对对齐的第一子单元和第二子单元进行加热和加压以形成第一金属和第二金属的将相邻金属部分接合在一起的金属间化合物；并且移除牺牲基板。

公开(公告)号：CN102906873A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024880.0

申请日：2011-05-20

Applicant: 哈里公司

Inventor： D·M·史密斯

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49071 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置（100）包括具有相对的第一和第二表面（102a、102b）的半导体基板（102）。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件（104）。该平坦电感部件（103）包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组（104）的独立式电导体，其中，该电导体具有宽度和高度，并且其中，高宽（HW）比显著大于1。