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公开(公告)号：CN108431903A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680046657.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 塞博利亚·贾斯瓦尔
Inventor： 塞博利亚·贾斯瓦尔
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 用于0.1nm至250nm的极紫外/软X射线谱/DUV的涂层包括与亚波长“B层”交替的一个或多个亚波长“A层”。A层可以包括第1族、第2族和第18族材料。B层可以包括过渡金属、镧系元素、锕系元素或它们的组合之一。A层和/或B层可以包括纳米结构，其特征的尺寸或形状类似于预期的缺陷。附加的顶层可以包括较高原子序数的A层材料、疏水材料或带电材料。这样的材料可以用于制造用于诸如光刻、晶片图案化、天文和空间应用、生物医学、生物技术应用或其他应用等应用中的例如反射镜、透镜或其他光学器件、面板、光源、光掩模、光刻胶等部件或其他部件。
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