公开(公告)号：CN1722411A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510054738.7

申请日：2005-03-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 秦和宏 ,  里真一 ,  秋山幸春

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/115 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体存储器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成条形的多个沟槽，并且用元件隔离绝缘膜填充每个沟槽，从而形成元件隔离区；依次形成沟道绝缘膜和电荷储存膜，以便覆盖元件隔离区之间的有源区；在电荷储存膜上形成层间绝缘膜；在垂直于沟槽纵向的方向上在层间绝缘膜上形成多个控制栅；在多个控制栅之间交替提供的源极形成区和漏极形成区当中，使用在源极形成区中具有开口的抗蚀剂膜作掩模，刻蚀源极形成区中的元件隔离绝缘膜，以便露出沟槽的表面；和在源极形成区上进行各向同性等离子体离子注入，从而在沟槽的表面中和在有源区中形成源极扩散层。