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发明公开
准二维层状钙钛矿材料、相关器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN111418080A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880073245.3

申请日：2018-10-19

Applicant: 多伦多大学管理委员会

Inventor： L·N·全 , F·P·加西亚德阿克尔 , R·P·萨巴蒂尼 , S·胡格兰德 , E·萨金特

IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56

Abstract: 本发明提供了光电子器件，如光伏器件和发光二极管。所述器件包含准二维层状钙钛矿材料和与所述准二维层状钙钛矿材料化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了活性材料。所述活性材料包含具有最外边缘的准二维钙钛矿化合物和与所述最外边缘化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了制造所述光电子器件和所述活性材料的方法。

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