公开(公告)号：CN110447116A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201880018784.7

申请日：2018-01-30

Applicant: 多伦多大学管理委员会

Inventor： 谭海仁 ,  蓝新正 ,  杨振宇 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本文公开了完全经由在低温(

公开(公告)号：CN108352451A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201580083538.6

申请日：2015-10-02

Applicant: 丰田自动车欧洲公司 ,  多伦多大学管理委员会

Inventor： S·金格 ,  杨振宇 ,  O·沃兹尼 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L51/005 ,  H01L51/426 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549

Abstract: 提供了一种包括电子传输层(2)、活性层(3)和空穴传输层(4)的光电子器件(1)。电子传输层、活性层和空穴传输层中的每一层包括量子点。

公开(公告)号：CN108352451B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201580083538.6

申请日：2015-10-02

Applicant: 丰田自动车欧洲公司 ,  多伦多大学管理委员会

Inventor： S·金格 ,  杨振宇 ,  O·沃兹尼 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H10K30/35 ,  H10K50/16 ,  H10K71/00 ,  H10K50/15 ,  H10K85/60 ,  H10K50/115

Abstract: 提供了一种包括电子传输层(2)、活性层(3)和空穴传输层(4)的光电子器件(1)。电子传输层、活性层和空穴传输层中的每一层包括量子点。

公开(公告)号：CN111418080A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880073245.3

申请日：2018-10-19

Applicant: 多伦多大学管理委员会

Inventor： L·N·全 ,  F·P·加西亚德阿克尔 ,  R·P·萨巴蒂尼 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了光电子器件，如光伏器件和发光二极管。所述器件包含准二维层状钙钛矿材料和与所述准二维层状钙钛矿材料化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了活性材料。所述活性材料包含具有最外边缘的准二维钙钛矿化合物和与所述最外边缘化学键合的钝化剂。所述钝化剂包含氧化膦化合物。还提供了制造所述光电子器件和所述活性材料的方法。

公开(公告)号：CN108140677A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580082903.1

申请日：2015-09-24

Applicant: 丰田自动车欧洲公司 ,  多伦多大学管理委员会

Inventor： S·金格 ,  J·徐 ,  B·萨瑟兰 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

Abstract: PIN型红外光电二极管(10)，包括第一电极(14)、n型半导体、原子层沉积硫化铅涂层(24)、p型半导体(18)和第二电极(20)，其中所述n型半导体包含共形涂覆有所述原子层沉积硫化铅涂层(24)的纳米线(16)。一种制造PIN型红外光电二极管(10)的方法。