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公开(公告)号：CN1184950A
公开(公告)日：1998-06-17
申请号：CN97121871.4
申请日：1997-12-10
Applicant: 大宇电子株式会社
CPC classification number: G21K1/06 , G02B26/0858 , G21K2201/067
Abstract: 一种制造在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜的方法,包括有步骤:制备一有源矩阵,该有源矩阵包括一基底和一M×N连接端子阵列;顺序地在该有源矩阵的顶上沉积一钝化层、腐蚀剂阻止层和薄膜待除层、第一掩膜层、第二掩膜层;分别蚀刻第一掩膜层和薄膜待除层,在该薄膜待除层中形成一M×N对空腔阵列;去除第二掩膜层和第一掩膜层;在薄膜待除层的顶上形成一M×N致动机构阵列;及去除该薄膜待除层,从而形成M×N薄膜致动反射镜阵列。
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